高虹
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家重点实验室开放基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信理学一般工业技术更多>>
- Ar/O_2对磁控溅射法制备Bi_(1.5)MgNb_(1.5)O_7薄膜结构与性能的影响
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在不同Ar/O2流速比下制备铌镁酸铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)薄膜。通过X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征。结果表明:经过700℃O2气氛下退火处理,BMN薄膜形成立方焦绿石单相结构。当Ar/O2流速比为2∶1时溅射薄膜的表面粗糙度较小,漏电流较低,具有高的介电常数、低的介电损耗(1 MHz的测试频率下介电常数和介电损耗分别为158和0.4%),并且在0.8 MV/cm的外加电场下介电可调率和优质因子分别为16.4%和36。
- 高虹朱明康吕忆农刘云飞
- 关键词：BI1AR
- Eu^3＋取代Bi1．5MgNb1．5O7陶瓷的结构与介电性能
- 2013年
- 采用固相法制备Bi1.5-xEuxMgNb1.5O7(x=0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6)陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪分别对陶瓷的相结构、显微结构和介电性能进行表征。结果表明:当Eu3+取代量(x)较小(x≤0.5)时,所有组分的陶瓷样品均保持单一的焦绿石相;当x=0.6时,样品出现少量的EuNbO4杂相。随着Eu3+取代量的增加,陶瓷的介电常数逐渐减小,介电损耗先减小后增大,温度系数显著增大。当x=0.5时,1 MHz下测得的介电常数为96,介电损耗为3.8×10-4,温度系数变成-12×10-6℃-1。因此,通过适当的Eu3+取代可以获得适用于Ⅰ类多层陶瓷电容器性能优异的介质材料。
- 黄保帅刘云飞吕忆农高虹
- 关键词：BI1离子取代介电性能
- M1型阿利特超晶胞与伪六方亚晶胞之间的取向关系及转换矩阵
- 2012年
- 通过透射电子显微镜(TEM)对M1型阿利特进行研究。分别基于伪六方亚晶胞和M1超晶胞对选区电子衍射(SAED)花样和高分辨透射电子显微(HRTEM)像进行分析,确立伪六方亚晶胞和M1超晶胞之间的取向关系,即:(600)M1、(020)M1和(002)M1分别相当于(ī08)H、(ī20)H和(ī02)H,[100]M1∥[211]H、[010]M1∥[010]H以及[001]M1∥[■ī]H,同时还提出了两者之间的转换矩阵。由超结构产生的衍射斑点方向平行于[2■7]H*/[9■■]M1*,具有一维非公度调制特征。调制结构在HRTEM像中以波状条纹衬度的形式展现并平行于(2■7)H/(9■■)M1,条纹间距为1.25 nm。
- 闵辉华刘云飞高虹朱健民陈业云吕忆农
- 关键词：阿利特调制结构透射电子显微术
- 晶粒尺寸和膜厚对磁控溅射法制备Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的影响(英文)
- 2016年
- 采用磁控溅射法在Pt/Ti/Si O2/Si基底上制备立方焦绿石结构Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7薄膜。通过控制750℃下后退火时间来控制薄膜的平均晶粒尺寸,用沉积时间控制膜厚。研究不同晶粒尺寸和膜厚对BMN薄膜相结构、微观形貌和介电性能的影响。结果表明,当BMN薄膜平均晶粒尺寸为45 nm、膜厚为430 nm时,薄膜介电性能提高显著,1 MHz下介电常数为112.4,介电损耗为0.001 82,在0.93 MV/cm外加电场条件下,介电调谐率为27.7%。
- 晏子敬吕忆农刘云飞高虹马成建蒋晓威
- 关键词：晶粒尺寸膜厚介电性能
- 超声化学法快速合成BaTiO_3纳米粉体
- 2013年
- 以Ba(OH)2和Ti(OC4H9)4作为Ba源和Ti源,利用超声化学法合成结晶良好的BaTiO3纳米粉体。用X线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和Zeta电位/粒度分析仪考察V(C2H5OH)∶V(H2O)和反应时间对合成产物的物相、形貌和粒度分布的影响。结果表明:乙醇的加入对规则球形纳米BaTiO3颗粒的形成有积极的作用。当V(C2H5OH)∶V(H2O)为3∶1,超声反应20 min即可得到一次颗粒尺寸约为35 nm的立方相球形BaTiO3粉体。
- 陈乜刘云飞高虹吕忆农戚云晖
- 关键词：BATIO3纳米粉体超声化学法
- ZnO过渡层对BiFeO_3薄膜铁电性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用溶胶–凝胶法,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上采用逐层退火工艺制备了BFO(BiFeO3)、ZnO/BFO和ZAO(掺铝氧化锌)/BFO薄膜,研究了ZnO、ZAO过渡层对BFO薄膜晶相以及铁电、漏电和介电性能的影响。结果表明:与BFO薄膜相比,ZnO/BFO薄膜的表面更加致密、平整,结晶性更好,双剩余极化强度(2Pr)有非常大的提高,漏电和介电性能也均有改善。ZAO/BFO薄膜的铁电性能比ZnO/BFO薄膜的铁电性能差,这与ZAO的导电性强于ZnO有关。
- 王贵陈长春高虹
- 关键词：铁电性能BIFEO3薄膜
- Bi_2O_3掺杂对Ni-Mn-O基NTC热敏陶瓷显微结构及电性能的影响
- 2014年
- 采用固相配位反应法制备Ni0.6BixMn2.4-xO4(0≤x≤0.1)热敏陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和阻抗分析仪对陶瓷的相结构、显微结构、元素分布和电性能进行表征。结果表明:少量添加Bi2O3能显著提高材料的烧结性能,在1 000℃下达到致密化。在x=0时,材料保持单相立方尖晶石结构,当x≥0.02时,有杂相Bi2O3、Bi3.64Ni0.36O5.82、Bi7.47Ni0.53O11.73及Bi2Ni2O5相继出现。随着Bi3+掺杂量的增加,陶瓷晶粒尺寸先增大后减小,伴随着显微结构的变化,材料的电阻率先减小后增大,材料常数B先增大后减小。
- 马成建刘云飞吕忆农高虹丁健翔
- 关键词：尖晶石BI2O3电性能
