您的位置： 专家智库 > >

黄瑞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：上海第二工业大学实验与实训中心更多>>
发文基金：上海第二工业大学校基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计
  • 1篇击穿电压
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇比导通电阻
  • 1篇LDMOSF...

机构

  • 1篇上海第二工业...

作者

  • 1篇张永红
  • 1篇黄瑞

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
两层金属场极板高压LDMOS的优化设计
2011年
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参数进行模拟和分析,在不增加工艺复杂度的情况下,设计一种新型的具有两层金属场极板结构的500Vn-LDMOS。模拟结果表明,双层金属场极板结构比无金属场极板结构LDMOS的击穿电压提高了12%,而这两种结构LDMOS的比导通电阻(RS)基本一致。
张永红黄瑞
关键词：LDMOSFET击穿电压比导通电阻
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0