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卢瑶瑶

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术农业科学文化科学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇农业科学
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇存储器
  • 10篇相变存储
  • 10篇相变存储器
  • 8篇电流
  • 5篇相变
  • 4篇电流测试
  • 4篇电流源
  • 4篇电压
  • 4篇电阻
  • 4篇脉冲
  • 4篇脉冲电流源
  • 3篇写操作
  • 2篇单脉冲
  • 2篇电路
  • 2篇电容
  • 2篇电学
  • 2篇电学测试
  • 2篇电压测试
  • 2篇电阻器
  • 2篇译码

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 17篇陈一峰
  • 17篇卢瑶瑶
  • 16篇蔡道林
  • 16篇宋志棠
  • 4篇魏宏阳
  • 3篇王月青
  • 1篇方红波

年份

  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路
本发明提供一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路，包括用于进行信息存储的存储器阵列；并联于存储器阵列的位线上的缓冲隔离单元，从缓冲隔离单元的输出端获取存储器阵列中存储单元操作时的位线电压，并将要读取的位线电压与测试端隔...
蔡道林卢瑶瑶陈一峰闫帅吴磊刘源广李阳宋志棠
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电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法
本发明提供一种电压电流测试自动切换电路、相变单元测试系统及方法，包括：具有脉冲电流源模块、开关驱动模块、测试状态切换模块的电压电流测试自动切换电路；数字源表；探针台、第一待测相变电阻及第二待测相变电阻。电压测试时，电压电...
闫帅蔡道林薛媛宋志棠陈一峰卢瑶瑶吴磊刘源广
一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法
本发明提供一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法，包括：产生第一、第二脉冲电流源的脉冲电流源产生电路；控制输出驱动电流的下降沿缓慢下降的电容；输出所述输出驱动电流的负载相变电阻；控制电容充放电的开关管；及...
闫帅蔡道林薛媛宋志棠陈一峰卢瑶瑶吴磊
相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法
本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以...
闫帅蔡道林薛媛宋志棠陈一峰卢瑶瑶吴磊刘源广李阳
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优选相变存储器写操作电流的系统及方法
本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获...
吴磊陈一峰蔡道林卢瑶瑶刘源广闫帅李阳宋志棠
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优选相变存储器写操作电流的系统及方法
本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获...
吴磊陈一峰蔡道林卢瑶瑶刘源广闫帅李阳宋志棠
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相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法
本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二...
卢瑶瑶蔡道林陈一峰闫帅宋志棠吴磊刘源广李阳
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一种具有保持力测试功能的相变存储器
本发明提供一种具有保持力测试功能的相变存储器，包括：对行地址信号进行译码以开启存储阵列相应字线的行译码器单元；对列地址信号进行译码的列译码器单元；输出测试电压/电流信号的电压源/电流源单元；开启存储阵列中相应位线，并将测...
蔡道林陈一峰宋志棠王月青霍如如魏宏阳卢瑶瑶
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一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法
本发明提供一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法，所述相变存储器至少包括：相变存储单元阵列；写擦驱动模块，与所述相变存储单元阵列相连，用于产生和输出写操作和擦操作电流信号；操作次数比较器，与所述写擦驱动模块相连，用于监...
霍如如蔡道林陈一峰魏宏阳方红波卢瑶瑶宋志棠
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一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构
本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相...
卢瑶瑶蔡道林陈一峰宋志棠王月青魏宏阳霍如如
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