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孙钊

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：山东科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇中文专利

主题

  • 12篇氧离子
  • 12篇离子
  • 11篇陶瓷
  • 10篇纳米
  • 8篇陶瓷材料
  • 8篇纳米陶瓷
  • 8篇纳米陶瓷材料
  • 6篇载流子
  • 5篇煅烧
  • 5篇煅烧温度
  • 4篇省略
  • 4篇SUB
  • 4篇X
  • 3篇烧结温度
  • 2篇双极型
  • 2篇陶瓷原料
  • 2篇纳米级
  • 2篇化合价
  • 2篇FEO
  • 2篇LTCC

机构

  • 13篇山东科技大学

作者

  • 13篇孙钊
  • 12篇李玉霞
  • 12篇郭梅
  • 12篇于洋
  • 12篇窦刚
  • 12篇李煜

年份

  • 6篇2018
  • 1篇2017
  • 6篇2016
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于纳米级单层Bi<Sub>(1-x)</Sub>Ca<Sub>x</Sub>FeO<Sub>3-x/2</Sub>阻变膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种基于纳米级单层Bi<Sub>(1-x)</Sub>Ca<Sub>x</Sub>FeO<Sub>3-x/2</Sub>阻变膜忆阻器的制备方法，其运用阻变膜在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，并依靠其产生...
李玉霞窦刚郭梅于洋李煜孙钊
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一种单层纳米阻变膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种单层纳米阻变膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷...
窦刚郭梅李玉霞孙钊李煜于洋
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一种基于Sr(Ti<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>)O<Sub>3-x</Sub>的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种基于Sr(Ti<Sub>1-x</Sub>Mg<Sub>x</Sub>)O<Sub>3-x</Sub>的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空...
窦刚郭梅李玉霞于洋孙钊李煜
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一种新型准Z源DC-DC变换器
本实用新型提供了一种新型准Z源DC‑DC变换器，包括输入电源、第一电感、第一开关、第二开关、二极管、准Z源网络、第一电容、滤波电感和滤波电容。输入电源依次串联第一电感、二极管、滤波电感和滤波电容，在二极管的两端并联有串联...
孙钊
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一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种柔性单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方...
郭梅窦刚李玉霞李煜于洋孙钊
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一种单层纳米阻变膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种单层纳米阻变膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从制备工艺简化与阻变膜纳米陶瓷...
窦刚郭梅李玉霞孙钊李煜于洋
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一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从简化工艺与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着...
郭梅窦刚李玉霞孙钊李煜于洋
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一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理，从备简化工艺与改进阻变膜...
窦刚郭梅李玉霞孙钊李煜于洋
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一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种双极型纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化实现器件电阻的变化的原理，在现有技术的基础上，从简化工艺与阻变膜纳米陶瓷材料的化学配方两方面着...
郭梅窦刚李玉霞孙钊李煜于洋
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一种基于纳米级单层Bi<Sub>(1‑x)</Sub>Ca<Sub>x</Sub>FeO<Sub>3‑x/2</Sub>阻变膜忆阻器的制备方法
本发明公开了一种基于纳米级单层Bi<Sub>(1‑x)</Sub>Ca<Sub>x</Sub>FeO<Sub>3‑x/2</Sub>阻变膜忆阻器的制备方法，其运用阻变膜在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，并依靠其产生...
李玉霞窦刚郭梅于洋李煜孙钊
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