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曾严
作品数:
5
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H指数:0
供职机构:
华东师范大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
石艳玲
华东师范大学
李小进
华东师范大学
孙亚宾
华东师范大学
王燕玲
华东师范大学
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电子电信
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晶体管
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NBTI
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偏压
1篇
可靠性
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负偏压温度不...
1篇
MOS器件
机构
5篇
华东师范大学
作者
5篇
曾严
4篇
李小进
4篇
石艳玲
2篇
王燕玲
2篇
孙亚宾
年份
1篇
2021
3篇
2018
1篇
2016
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低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法及系统
本发明提出了一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法,包括以下步骤:步骤一:获取p‑MOSFET器件的NBTI退化反应‑扩散模型参数;步骤二:基于基础反应‑扩散理论和H<Sub>2</Sub>的锁定效应,得出描述...
李小进
张珀菁
曾严
孙亚宾
石艳玲
文献传递
一种MOS晶体管NBTI效应R-D模型参数提取方法
本发明公开了一种MOS晶体管NBTI效应R‑D模型参数提取方法,包括如下步骤:线性变换确定拟合区间步骤:对测试数据的坐标系进行转换,并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间;粗略提取模型参数所在范围步骤:设置待拟合的模型参...
李小进
王燕玲
曾严
石艳玲
文献传递
一种MOS晶体管NBTI效应R-D模型参数提取方法
本发明公开了一种MOS晶体管NBTI效应R?D模型参数提取方法,包括如下步骤:线性变换确定拟合区间步骤:对测试数据的坐标系进行转换,并根据坐标轴的线性趋势选择曲线拟合区间;粗略提取模型参数所在范围步骤:设置待拟合的模型参...
李小进
王燕玲
曾严
石艳玲
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一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法及解析系统
本发明提出了一种低频交流应力模式下NBTI退化预测的解析方法,包括以下步骤:步骤一:获取p‑MOSFET器件的NBTI退化反应‑扩散模型参数;步骤二:基于基础反应‑扩散理论和H<Sub>2</Sub>的锁定效应,得出描述...
李小进
张珀菁
曾严
孙亚宾
石艳玲
文献传递
纳米工艺代MOS器件的NBTI效应及其可靠性模型研究
负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)主要由界面缺陷和发生在栅电介质缺陷中的空穴俘获导致,会引起PMOS晶体管的阈值电压、线性和饱和漏极电流、跨导以及亚...
曾严
关键词:
可靠性
负偏压温度不稳定性
解析模型
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