殷万军
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
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- 一种高压集成电容结构的可靠性研究
- 2014年
- 针对一种下极板独立的700V高压集成电容,进行了瞬态可靠性研究。研究表明,随着电容下极板尺寸的增加,电容的瞬态可靠性下降。用器件仿真软件MEDICI计算得出,在瞬态电压上升沿为200ns的情况下,电容下极板最大可靠宽度为124μm;同时,还得出一系列上升沿时间小于200ns的电容结构下极板最大可靠宽度。
- 王坤谭开洲唐昭焕殷万军罗俊黄磊王斌
- 关键词：高压集成电路电容可靠性
- 正向稳态到零输入态P^+-N-N^+功率二极管瞬变研究被引量：2
- 2012年
- 从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到反向峰值IR-peak(IR-peak>IF)的原因。通过在检测电路中采用反向平衡电流源,减小被短路的正向恒流电源对零时刻二极管瞬态响应的干扰,并利用仿真软件Silvaco-Atlas进行瞬态仿真,对结论进行了验证。
- 殷万军刘玉奎
- 关键词：功率二极管瞬态响应瞬态仿真
- 1200V高压大功率快恢复二极管器件设计和工艺研究
- 目前电力电子技术正向着轻型化、微型化、智能化、节能化发展，各种控制电路和不间断电源、开关电源的应用不断扩大。做为直接影响这些电路设计合理性和运行可靠性的高频高压快速软恢复二极管，其重要性得到了重新认识，同时其市场需求量也...
- 殷万军
- 关键词：反向恢复时间
- dV_(ss)/dt触发N阱CMOS器件闩锁失效的研究被引量：1
- 2013年
- 从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak
- 殷万军刘玉奎刘利
- 关键词：CMOS器件闩锁效应瞬态仿真
- 临近雪崩击穿效应触发CMOS器件闩锁失效的物理机制研究
- 目前多数研究人员主要从电路分析角度研究CMOS器件闩锁效应，缺乏对该失效现象触发机理的研究。针对该现状，从半导体器件物理的角度通过选取相应PNPN模型，分析临近雪崩击穿(near-avalanche breakdown)...
- 殷万军刘玉奎
- 关键词：闩锁效应物理机制
- P^+-N-N^+功率二极管零输入态反向电流峰值研究被引量：1
- 2012年
- 从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系。根据误差函数与初等函数的近似关系,推出简约解析关系式:(IRM/IF)=a+b×ln(IF+1)。在检测电路中引入反向平衡电流源,利用仿真软件Silvaco-Atlas获得瞬态仿真实验数据。通过Matlab软件对实验数据进行拟合分析,并对简约式适用范围和相关结论进行了验证。研究结果对P+-N-N+功率二极管的应用和相应电路系统的可靠性具有指导意义。
- 殷万军刘玉奎
