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王雪峰
作品数:
16
被引量:1
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供职机构:
清华大学
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相关领域:
电子电信
理学
化学工程
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合作作者
杨轶
清华大学
任天令
清华大学
田禾
清华大学
吴凡
清华大学
陈源泉
清华大学
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机构
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清华大学
作者
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王雪峰
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任天令
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杨轶
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田禾
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吴凡
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陈源泉
年份
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2023
1篇
2022
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2021
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2019
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2018
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2017
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2015
1篇
1999
1篇
1989
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一种用于汽车内的主动降噪方法
本发明涉及一种用于汽车内的主动降噪方法,属于语音信号处理技术领域。本主动降噪方法通过引入次级声源,使用自适应算法来控制次级声源发出的声信号,使自适应收敛后输出的次级声波在降噪点刚好与该点的噪声等幅反相来达到定点降噪的目的...
任天令
杨轶
陈源泉
王雪峰
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利用数字化实时音频信号驱动热致发声装置的方法及系统
本发明公开了一种利用数字化实时音频信号驱动热致发声装置的方法及系统,该方法先对热致发声装置前的模拟音频信号进行转换和滤波降噪;将经过转换和滤波降噪后的模拟音频信号通过过采样的方式转换为10~16位高精度的数字信号流;对获...
任天令
田禾
喻国芳
王雪峰
韦雨宏
李骁时
杨轶
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一种眼压监测装置
本发明提供了一种眼压监测装置包括:应变感应电路,用于监测眼球曲率变化产生的形变量;电路信号处理模块,用于将眼球曲率变化产生的形变量转换为眼球内部的压力数据并将所述压力数据发送至外部装置;柔性角膜镜,用于与眼球紧密贴合;所...
任天令
庞于
江嵩
陶璐琦
王雪峰
李宇星
杨轶
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自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管
本发明提出的一种自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管,包括依次层叠的衬底、栅极及其介质层和二维薄膜,二维薄膜的上表面分别与第一电极和第二电极相接触;二维薄膜采用过渡金属硫族化合物通过干法、湿法转移方法或直接...
任天令
田禾
吴凡
王雪峰
杨轶
一种用于模拟生物体光突触的方法及器件
本发明提出的一种用于模拟生物体光突触的方法及器件,属于仿生突触技术领域。该方法,产生用于模拟生物体中突触前端的动作电位的光信号,利用对该光信号具有响应的半导体光敏材料产生的空穴电子对在电场下进行定向移动,从而改变在突触后...
任天令
田禾
吴凡
王雪峰
杨轶
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一种基于准零维接触的二维薄膜埋栅场效应晶体管
本发明提出了一种基于准零维接触的二维薄膜埋栅场效应晶体管,属于场效应晶体管器件领域,本发明晶体管包括依次层叠的衬底、埋栅电极、埋栅介质层和二维薄膜,该二维薄膜一侧依次层叠有准零维结构形成层和作为准零维金属源的第一电极,该...
任天令
王雪峰
田禾
杨轶
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基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管及制备方法
本发明实施例提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管,包括:衬底、第一电极、第二电极、阻变层、二维薄膜、背栅控制信号装置及源漏信号输入装置。本发明实施例还提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管的制备...
任天令
田禾
吴凡
王雪峰
杨轶
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一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器
本发明提出了一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器,属于阻变存储器技术领域。包括:电极输入信号装置,以及依次层叠的衬底、第一电极、下阻变层、半导体层、上阻变层和第二电极;通过所述电极输入信号装置使得所述第一电极和第二电...
任天令
田禾
王雪峰
吴凡
杨轶
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自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管
本发明提出的一种自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管,包括依次层叠的衬底、栅极及其介质层和二维薄膜,二维薄膜的上表面分别与第一电极和第二电极相接触;二维薄膜采用过渡金属硫族化合物通过干法、湿法转移方法或直接...
任天令
田禾
吴凡
王雪峰
杨轶
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轮胎硫化过程的模拟和无探针微机控制
王雪峰
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