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一种两步式单斜率模拟-数字转换电路及转换方法: 本发明公开了一种两步式单斜率模拟‑数字转换电路及转换方法，包括2M个等值电容组成的电容阵列、比较器模块、时序控制模块、N‑bit VRAMP斜坡发生器模块、三选一开关、2<Su...; 姚立斌胡窦明陈楠张济清钟昇佑李正芬胡彦博王英

基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应被引量：1: 2017年; 采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能具有重要的影响.通过钝化膜生长工艺的改进有效减小了器件界面固定电荷面密度,使HgCdTe表面从弱反型状态逐渐向平带状态转变,表面效应得到有效抑制,器件反向特性获得显著改善.此外,基于最优的工艺条件制备的器件界面态陷阱数量得到大幅降低,器件稳定性增强;同时器件R_0A随栅压未发生明显地变化.; 李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞赵俊朱颖峰庄继胜姬荣斌; 关键词：表面钝化栅控二极管 I-V

一种两步式单斜率模拟-数字转换电路及转换方法: 本发明公开了一种两步式单斜率模拟‑数字转换电路及转换方法，包括2M个等值电容组成的电容阵列、比较器模块、时序控制模块、N‑bit VRAMP斜坡发生器模块、三选一开关、2<Su...; 姚立斌胡窦明陈楠张济清钟昇佑李正芬胡彦博王英

中长双色红外焦平面探测器组件技术研究: 2023年; 在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 cm^(-2),同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×10^(5) cm^(-2);双色器件芯片台面刻蚀深度达到8μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6~5.0μm,长波波长响应范围为7.4~9.7μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×10^(10) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为32.8mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制。; 耿松杨晋李树杰覃钢李立华赵俊李艳辉孔金丞赵鹏左大凡胡彦博梁艳任洋; 关键词：碲镉汞分子束外延等离子体刻蚀串音

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究被引量：3: 2015年; HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。; 李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞朱颖峰庄继胜姬荣斌; 关键词：表面钝化 MIS器件 C-V

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究: 2018年; 采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。; 林占文韩福忠李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳; 关键词：溅射功率 I-V C-V

中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究被引量：1: 2015年; 采用液相外延（LPE）生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC测试结果表明,Hg Cd Te pn结实际结区尺寸扩展4～5μm,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关。二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的Hg Cd Te pn结不是突变结也不是线性缓变结。中波Hg Cd Te二极管器件最高动态阻抗大于30 GΩ,器件优值R0A高达1.21×10^5Ωcm^2,表现出较好的器件性能。; 李雄军韩福忠李东升李立华胡彦博孔金丞秦强朱颖峰庄继胜姬荣斌; 关键词：光电二极管 PN结 LBIC

中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性被引量：7: 2019年; 采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.; 李雄军韩福忠李立华李东升胡彦博杨登泉杨超伟孔金丞舒恂庄继胜赵俊; 关键词：雪崩光电二极管增益 C-V

卫星用高光谱红外焦平面读出电路设计被引量：1: 2020年; 研制出一款高性能卫星用高光谱红外焦平面CMOS(complementary metal oxide semiconductor)读出电路ROIC(readout integrated circuit)芯片。读出电路设计包括任意行选择功能以及行增益单独调制功能,满足高光谱应用对读出电路提出的新要求。读出电路7档增益可选,适用于中波与短波碲镉汞HgCdTe(MCT)芯片;其他功能包括边积分边读出IWR(integration while reading),抗晕,串口功能控制以及全芯片电注入测试功能。读出电路采用0.35mm曝光缝合工艺,电源电压5 V,测试结果表现出良好的性能:在77 K条件下,全帧频可达450 Hz,功耗可调且典型值为300 mW。本文介绍了在读出电路设计的基本架构,提出设计中遇到的问题以及相应的解决方法,在文末给出了电路的测试结果。; 吴圣娟胡彦博胡旭洪建堂李红福马伊娜邓蔚; 关键词：碲镉汞

甚高灵敏度红外探测器读出电路研究进展被引量：7: 2020年; 在读出电路有限的像元面积内获得尽可能大的电荷存储量是实现甚高灵敏度红外探测器的关键。基于脉冲频率调制的像元级模数转换(ADC)是实现甚高灵敏度红外探测器读出电路的主要方法,阐述了像元级脉冲频率调制ADC的原理,介绍了美国麻省理工学院林肯实验室、法国CEA-LETI在像元级数字读出电路的研究进展。作为从立体空间拓展电路密度的新技术,介绍了三维读出电路的研究进展。最后介绍了昆明物理研究所甚高灵敏度红外探测器读出电路的研究进展。利用像元级ADC技术和数字域时间延迟积分(TDI)技术,昆明物理研究所研制的长波512×8数字化TDI红外探测器组件,峰值灵敏度达到1.5 mK。; 陈虓李立华李立华梁艳胡彦博李敏姚立斌赵长明赵鹏

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