许磊
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：上饶师范学院物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- 霍尔效应副效应研究及地磁场水平分量测量被引量：3
- 2019年
- 霍尔效应实验中存在多种副效应,一般认为有爱廷豪森效应、能斯脱效应、里纪-勒杜克效应、不等位电势差、焦耳热电势差等副效应.事实上,地磁场也会对霍尔电压产生影响.研究表明上述副效应中,除爱廷豪森效应以外的其他五种副效应可通过对称测量法予以消除.实验结果显示,不等位电势差影响最大,其次是地磁场效应和焦耳热电势差,而能斯脱效应、里纪-勒杜克效应可以忽略.此外,利用霍尔效应实验仪测量出上饶当地地磁场水平分量约为30.6μT.
- 许磊方立青肖杉吴波毛杰键
- 强太赫兹激光作用下量子阱中载流子量子态的变化特征
- 2015年
- 利用Kramers-Henneberger平移变换法和分析转移矩阵方法,研究了强太赫兹激光作用下有限深矩形量子阱体系载流子量子态的变化特征。结果表明,电子能级和量子态(或积分几率)随电场强度的增大或辐射频率的减小而增大,势阱宽度越小量子态和电子能级受辐射场的影响越显著。当电场强度逐渐增大或辐射频率逐渐减小,单势阱量子阱将先转变成双势阱量子阱,然后转变成半导体体材料。最后,讨论了量子态变化特征的物理本质。
- 王伟杨吴波常山吕岿许磊
- 关键词：量子态
- 强外场调控下半导体中浅杂质态的光学吸收特性
- 2023年
- 理论研究了法拉第位形下强太赫兹激光场、磁场以及压强作用下半导体中浅杂质态非线性光学性质.利用含时非微扰理论——强太赫兹激光场效应被精确包含在激光缀饰库仑势中——和变分法计算出浅杂质态电子能级和波函数,然后基于紧致密度矩阵方法研究强外场和压强对浅杂质态1s→2p_(z)跃迁的线性、三阶非线性及总的光学吸收系数和折射率变化的影响.研究发现压强和强外场通过激光缀饰库仑势可调控跃迁能和几何因子的增大或减小,所以饱和吸收不但依赖于入射光强和弛豫时间而且还依赖于强外场,在强激光场强度和回旋共振区域附近饱和吸收更容易实现.线性、三阶非线性及总的光学吸收系数和折射率变化的共振峰位置和振幅,在选取合适的外场参数下不但受到强外场的有效调控,而且还受到压强的强烈影响.研究结果为设计强外场调控的新型高效基于杂质电子器件提供了理论支持.
- 许磊姚愿王伟杨章莎魏相飞
- 关键词：折射率变化
- 高效超薄多晶硅片生产中的若干关键技术被引量：1
- 2016年
- 高效超薄多晶硅片是生产优质多晶硅太阳电池的基础。结合晶科能源有限公司的生产实际,探讨了高效超薄多晶硅片生产中的若干关键技术问题,对相关企业改进工艺、提高产品质量具有一定的指导意义。
- 吴波王伟杨许磊金浩陈伟肖贵云
- 关键词：太阳电池多晶硅片
