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金林

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：安徽大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇短沟道
  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值特性
  • 1篇异质栅
  • 1篇载流子
  • 1篇摄动法
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇沟道
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇MEDICI
  • 1篇MOSFET
  • 1篇表面势

机构

  • 2篇安徽大学

作者

  • 2篇高珊
  • 2篇陈军宁
  • 2篇褚蕾蕾
  • 2篇金林

传媒

  • 2篇微电子学与计...

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性
2010年
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好.
金林高珊陈军宁褚蕾蕾
关键词：表面势亚阈值
异质栅MOSFET热载流子效应的研究
2010年
异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.
褚蕾蕾高珊金林陈军宁
关键词：异质栅MOSFET热载流子效应MEDICI
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共1页<1>
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