您的位置: 专家智库 > >

陈昊

作品数:2 被引量:80H指数:2
供职机构:重庆大学电气工程学院输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 1篇电容
  • 1篇栅极
  • 1篇逆变
  • 1篇逆变器
  • 1篇驱动电压
  • 1篇开关
  • 1篇功率密度
  • 1篇光伏
  • 1篇光伏逆变
  • 1篇光伏逆变器
  • 1篇高功率密度
  • 1篇SIC
  • 1篇SIC器件
  • 1篇MOSFET

机构

  • 2篇重庆大学
  • 1篇泰科天润半导...

作者

  • 2篇冉立
  • 2篇曾正
  • 2篇邵伟华
  • 2篇陈文锁
  • 2篇陈昊
  • 2篇李辉
  • 1篇廖兴林

传媒

  • 2篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控被引量:22
2018年
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。
曾正邵伟华陈昊胡博容陈文锁李辉冉立张瑜洁秋琪
关键词:SICMOSFET驱动电压
SiC器件在光伏逆变器中的应用与挑战被引量:65
2017年
高效、高功率密度和高可靠的性能指标一直是新能源变换器的发展目标。SiC器件可以突破传统Si器件的性能极限,是下一代高性能新能源变换器的基础。针对光伏发电系统,梳理了光伏逆变器的技术现状,总结了新能源变换器对效率、功率密度、可靠性和成本的持续技术需求,归纳了SiC器件在光伏逆变器中的技术优势和应用现状。最后,结合实验结果,从开关振荡、串扰、短路耐受能力、驱动、封装、大功率模块、热交互材料等方面,提出了SiC光伏逆变器的若干关键技术挑战,为下一代光伏逆变器的开发提供了若干研究方向。
曾正邵伟华胡博容陈昊廖兴林陈文锁李辉冉立
关键词:SIC器件光伏逆变器高功率密度
共1页<1>
聚类工具0