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一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...; 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东

小型化封装的四通道多功能电路: 2015年; 基于GaAsE/D赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路。该多功能电路集成了通道选择、6bit移相和4bit衰减等功能,由低噪声放大器（LNA）芯片、功分开关网络多功能芯片（MFC）、数控移相衰减多功能芯片、3-8译码器芯片和多层陶瓷外壳组成。测试结果表明,在频率为2.0-3.5GHz时,电路增益大于16dB,噪声系数小于1.3dB,端口电压驻波比（VSWR）小于1.5∶1,多功能电路采用＋5V/-5V供电,工作电流分别为110mA@＋5V,48mA@-5V。多功能电路的封装尺寸为19.0mm×17.0mm×3.1mm。; 贾玉伟陈月盈刘如青王子青; 关键词：移相器衰减器

超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计被引量：2: 2018年; 针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。; 陈月盈朱思成赵子润; 关键词：超宽带多功能芯片数控衰减器

一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...; 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东; 文献传递

GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片: 2018年; 研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3～17GHz范围内,延时调节范围为10～630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。; 陈月盈方圆李富强; 关键词：延时器砷化镓超宽带微波单片集成电路

K波段幅相控制多功能MMIC的设计与实现: 2017年; 基于GaAs衬底增强/耗尽型赝(E/D)工艺设计了K波段幅相控制多功能MMIC。该芯片对接收增益波动大采取了2bit微调数控衰减器的改善措施,同时内部集成放大器,数控衰减器,数控移相器等常用功能。测试结果表明:接收支路增益≥3dB,输出1dB压缩点≥1dBm;发射支路增益≥5dB,输出1dB压缩点≥4dBm;移相RMS≤5°,衰减RMS≤0.6dB。; 张超陈月盈; 关键词：数控移相器单刀双掷开关数控衰减器

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陈月盈