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刘荣军

作品数：18 被引量：8H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 8篇频率源
  • 8篇微波
  • 8篇相控
  • 8篇芯片
  • 4篇多通道
  • 4篇输出功率
  • 4篇数控衰减器
  • 4篇衰减器
  • 3篇电路
  • 3篇微波器件
  • 2篇电器
  • 2篇电器元件
  • 2篇电容
  • 2篇电容量
  • 2篇电容器
  • 2篇堆叠
  • 2篇多层基板
  • 2篇微波电路
  • 2篇微波封装
  • 2篇微调电容器

机构

  • 18篇中国电子科技...

作者

  • 18篇刘荣军
  • 10篇杨强
  • 7篇赵瑞华
  • 4篇常青松
  • 4篇李丰
  • 3篇李增路
  • 3篇要志宏
  • 3篇许悦
  • 3篇谢潇
  • 2篇刘健
  • 2篇徐达
  • 2篇王胜福
  • 2篇王俊龙
  • 2篇王立发
  • 2篇陈君涛
  • 2篇甄建宇
  • 2篇郭文胜
  • 2篇李栋贤
  • 2篇宋学峰
  • 2篇马春雷

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇通讯世界
  • 1篇数字技术与应...

年份

  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 5篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法
本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预...
徐达要志宏常青松罗建张延青李丰刘荣军许悦关统新郭英乔召杰默卫朋
相控体制的多通道微波发生装置及其频率源芯片
本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其频率源芯片。该频率源芯片包括至少两个频率源通道，每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元；信号产生单元用于产生预设频率的第一...
杨强刘荣军甄建宇宋学峰李康禾牛红伟刘健周泽军
文献传递
GaN功率模块加速寿命试验设计
2019年
GaN功率器件以宽能带隙、高击穿电压、高功率密度和高增益以及更高的沟道结温特性,正逐步被市场所接收,但GaN器件的可靠性还没有得到充分评估和认证,亟需开展可靠性评价工作.基于此,本文设计了GaN功率器件温度加速寿命测试平台,对已经研制的GaN功率模块进行了温度加速寿命测试.通过试验结果计算的GaN功率模块的平均失效时间(MTTF)可达200万h,表明设计的GaN功率模块具备长期高可靠工作性能.
王振亚杨强刘荣军许悦
关键词：功率模块GAN功率器件高功率密度击穿电压
相控体制的微波发生装置及其频率源芯片
本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的微波发生装置及其频率源芯片。上述频率源芯片包括：依次连接的信号产生单元、数控衰减器和功分器，以及分别与功分器连接的多个处理电路；信号产生单元用于产生第一功率信号，数控衰减器用...
杨强刘荣军陈君涛赵瑞华李栋贤王俊龙郭文胜张学仁
文献传递
相控体制的微波发生装置及其频率源芯片
本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的微波发生装置及其频率源芯片。上述频率源芯片包括：依次连接的信号产生单元、数控衰减器和功分器，以及分别与功分器连接的多个处理电路；信号产生单元用于产生第一功率信号，数控衰减器用...
杨强刘荣军陈君涛赵瑞华李栋贤王俊龙郭文胜张学仁
文献传递
相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片
本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的多通道微波发生装置及其可编程频率源芯片。该可编程频率源芯片包括微处理器和至少两个频率源通道，每个频率源通道包括信号产生单元、第一衰减单元、移相单元和第二衰减单元；信号产生单元...
刘荣军杨强赵瑞华廖余立蒙燕强李增路马春雷王凯王占奎王硕
文献传递
相控体制的微波发生装置及其可编程控制频率源芯片
本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的微波发生装置及其可编程控制频率源芯片。该可编程控制频率源芯片包括：依次连接的信号产生单元、数控衰减器和功分器，与功分器连接的多个处理电路，微处理器；信号产生单元产生预设频率的...
杨强刘荣军高晓强张加程赵灿乜士举谢潇王增双刘兰坤
文献传递
基于GaN HEMT的S波段内匹配功率放大器设计被引量：7
2014年
采用内匹配技术和平面功率合成相结合的设计方法,设计并实现了一款S波段功率放大器。在设计过程中,先通过预匹配电路将功率芯片的阻抗适当提高,进而利用Wilkinson功分器进行功率合成。该放大器基于中国电子科技集团公司第十三研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在25%的相对带宽、漏源电压28 V、脉宽8 ms和占空比50%的工作条件下,实现了输出峰值功率P out大于70 W,功率附加效率ηPAE大于54%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。
关统新要志宏赵瑞华杨强刘荣军
关键词：氮化镓内匹配宽带功率放大器
相控体制的微波发生装置及其可编程控制频率源芯片
本申请适用于微波技术领域，提供了一种相控体制的微波发生装置及其可编程控制频率源芯片。该可编程控制频率源芯片包括：依次连接的信号产生单元、数控衰减器和功分器，与功分器连接的多个处理电路，微处理器；信号产生单元产生预设频率的...
杨强刘荣军高晓强张加程赵灿乜士举谢潇王增双刘兰坤
文献传递
平面式高功率信号放大器设计被引量：1
2017年
氮化镓高电子迁移率晶体管(Ga N HEMT)具有高功率密度、高效率和高工作温度的优异特性,在电子装备和武器系统中具有广泛应用。随着以固态功放为核心的有源阵面的不断增加,高效率,高功率,小型化的功率放大器成为未来有源相控阵雷达的首选功率器件。本文通过采用新颖的偏置电路实现了一款便于T/R组件内部集成的平面式、小型化、高效率Ga N内匹配功率放大器,经测试,在3.1-3.4GHz带宽内,连续波输出可达80W以上,附加效率≥65%,功率增益≥12d B,外形尺寸仅有15mm*6.6mm*0.8mm。经过射频加速寿命试验及多批次系统联机测试,该产品完全满足相控阵雷达系统的使用要求。
刘荣军李保林
关键词：内匹配偏置电路
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