张安
- 作品数：2 被引量：8H指数：1
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响被引量：7
- 2010年
- 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火的薄膜,经过550℃,1×10-2Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3Ω.cm,可见光范围内的平均透过率约为85%。
- 刘金铭赵小如赵亮张安王丹红邵继峰曹萌萌常晓
- 关键词：溶胶-凝胶法晶体结构光电性能
- 基于表面势的非晶IGZO薄膜晶体管分析模型被引量：1
- 2011年
- 报道了一种适于模拟n沟道非晶IGZO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的直流I-V特性的分析模型。该模型充分考虑了深能级类受主态对自由电子的捕获,并将表面势的概念引入a-IGZO TFT结构。在分析器件能带结构和载流子输运的基础上,参考Si基MOSFET中表面势模型的分析方法,利用半导体-绝缘体界面电荷的泊松方程表达,并结合能带-电压关系,导出了器件饱和区和非饱和区的I-V解析表达式。通过Matlab编程模拟了a-IGZOTFT的转移特征曲线和输出特征曲线,对文献中实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据均能很好地吻合。该模型结构简明,所包含的参数物理意义明确,有很强的实用性。
- 张安赵小如段利兵赵建林白晓军
- 关键词：薄膜晶体管表面势态密度解析模型
