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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇碳化硅
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张宝顺
  • 1篇张立国
  • 1篇张泽洪
  • 1篇范亚明
  • 1篇鞠涛
  • 1篇钮应喜
  • 1篇李哲
  • 1篇张学敏
  • 1篇杨霏

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究被引量:5
2015年
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体,具有诸多优异的特性,从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备,先在4H-SiC 衬底上外延生长一层2~10μm 厚的碳化硅,然后直接再在外延碳化硅上原位外延生长石墨烯。实现外延碳化硅-石墨烯的连续生长,从而减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象,并使低成本制备碳化硅上的石墨烯成为可能。通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及 X 射线光电子能谱等表征,验证了该方法生长的石墨烯具有较好的晶体质量。
张学敏张立国钮应喜鞠涛李哲范亚明杨霏张泽洪张宝顺
关键词:石墨烯碳化硅晶体质量
共1页<1>
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