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赵强

作品数：98 被引量：4H指数：1
供职机构：安徽大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信经济管理文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 89篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 46篇自动化与计算...
  • 21篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇经济管理

主题

  • 62篇电路
  • 22篇芯片
  • 21篇电路结构
  • 16篇抗辐照
  • 14篇拉管
  • 14篇存储器
  • 13篇反相器
  • 12篇SRAM
  • 10篇锁存
  • 10篇集成电路
  • 10篇SRAM单元
  • 9篇电压
  • 9篇辐照
  • 9篇乘法
  • 8篇源极
  • 8篇锁存器
  • 8篇进制
  • 8篇功耗
  • 7篇单粒子
  • 7篇运算电路

机构

  • 97篇安徽大学
  • 2篇中国电波传播...
  • 2篇合肥海图微电...
  • 1篇工业和信息化...
  • 1篇上海高性能集...

作者

  • 97篇赵强
  • 87篇彭春雨
  • 86篇吴秀龙
  • 82篇蔺智挺
  • 76篇卢文娟
  • 42篇陈军宁
  • 20篇高珊
  • 14篇周永亮
  • 12篇李鑫
  • 9篇刘玉
  • 7篇胡薇
  • 6篇张劲
  • 6篇许鑫
  • 5篇李鹏飞
  • 3篇程伟
  • 3篇朱亚男
  • 2篇陈琳
  • 2篇王亚玲
  • 2篇赵悦
  • 2篇李露

传媒

  • 1篇微波学报
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇电子与封装
  • 1篇计算机科学与...

年份

  • 4篇2024
  • 38篇2023
  • 32篇2022
  • 9篇2021
  • 10篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
共 98 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于极性加固的抗辐照锁存器的电路结构、芯片和模块
本发明涉及一种基于极性加固的抗辐照锁存器的电路结构、芯片和模块。该电路结构包括。多输入C单元、传输门、两个SRAM单元和两个传输单元。第二SRAM单元与第一SRAM单元结构对称并交叉耦合，形成存储节点S0～S7。当WL为...
赵强孙铎文许鑫林涵宇张亚楠郝礼才戴成虎彭春雨吴秀龙蔺智挺
一种电流域8TSRAM单元及动态自适应量化的存算电路
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种电流域8TSRAM单元、一种动态自适应量化的存算电路、CIM电路及其芯片。其由2个PMOS管P1～P2，6个NMOS管N1～N6构成；其中，P1、P2、N1～N4构成经典的具有两个...
蔺智挺柳云龙李劲铮袁子凡吴秀龙彭春雨戴成虎赵强卢文娟胡薇郝礼才周永亮李鑫
基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元
本发明公开了一种基于9T SRAM单元在内存实现汉明距离计算的电路及9T SRAM单元，先将目标二进制数据存储到N行N列内存单元中，再将与之比较的N位二进制数据输入到字线信号WL或位线BL、BLB中，通过脉冲调制信号实现...
蔺智挺赵强陈军宁陈龙龙卢文娟彭春雨吴秀龙黎轩
文献传递
一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路
本发明公开了一种由RRAM构成的可阻态区分且可重构的运算电路，包括3个NMOS晶体管；2个PMOS晶体管；以及两个电阻式随机存储器RRAM。2个NMOS晶体管和2个PMOS晶体管构成两个传输门结构，1个NMOS晶体管控制...
蔺智挺叶茂希彭春雨吴秀龙卢文娟赵强陈军宁
文献传递
一种低温漂高性能的带隙基准电路及电压基准模块
本发明属于电路技术领域，具体涉及一种低温漂高性能的带隙基准电路及电压基准模块。其包括第一启动电路、带隙基准核心电路和曲率补偿电路。第一启动电路用于在电路启动时将运放输出点电压拉低，使带隙基准电路摆脱由简并点引起的0电流状...
赵强石冰清李超凡李文浩刘天翔彭春雨戴成虎蔺智挺吴秀龙
一种降低静态随机存储器中灵敏放大器失调电压的电路结构
本发明公开了一种降低静态随机存储器中灵敏放大器失调电压的电路结构，该电路结构可以估量灵敏放大器自身失调电压产生的延迟，并把它转换为校准信号的长度。校准信号给灵敏放大器的输入放电，降低输入电压，从而可以有效降低灵敏放大器的...
蔺智挺赵悦赵强彭春雨卢文娟吴秀龙黎轩陈军宁
高可靠性的读写分离14T存储单元设计
2022年
为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元。基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力。与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1%、20.7%和36.1%。写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限。
张景波朱亚男彭春雨赵强
关键词：静态随机存储器高可靠性单粒子效应
基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片
本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路、芯片。本发明的基于极性加固技术的抗辐射SRAM存储单元电路采用NMOS晶体管N7、N8和PMOS晶体管P5、P6配合，并采用双字线WL...
胡薇强斌彭春雨卢文娟赵强戴成虎郝礼才王亚玲吴秀龙
一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构
本发明公开了一种用于SRAM阵列的列移位多位乘法二进制分解运算的电路结构，所述电路包括N列6T SRAM单元组成的SRAM阵列、K个开关Sk构成的开关组、M个存储电容构成的存储电容组Cm；被乘数X的二进制位存储在同一行中...
蔺智挺刘立张劲吴秀龙彭春雨卢文娟赵强陈军宁
文献传递
一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构
本发明公开了一种在存储器中结合电容实现乘法的SRAM电路结构，通过将被乘数与乘数分别存储在6T SRAM单元与WL内，被乘数的十进制数值由单元的6T SRAM WL开启时间决定，乘数数值的正负由左字线(WL Left，缩...
蔺智挺张劲赵强吴秀龙彭春雨卢文娟黎轩陈军宁
文献传递
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