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陈海燕

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:西南科技大学信息工程学院更多>>
发文基金:四川省应用基础研究计划项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电路研究
  • 1篇电容传感器
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇模拟电路
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇负阻
  • 1篇负阻效应
  • 1篇感器
  • 1篇高灵敏
  • 1篇高灵敏度
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS基准...
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 2篇西南科技大学

作者

  • 2篇曹文
  • 2篇陈海燕
  • 1篇胡莉
  • 1篇尚丽平
  • 1篇刘春梅

传媒

  • 1篇传感技术学报
  • 1篇西南科技大学...

年份

  • 2篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究被引量:1
2007年
电容传感器灵敏度较低,特别是在传感器本体的初始电容量较大、而测量过程中的增量电容量又较小时,系统的相对灵敏度常常会低至无法准确得出被测参数的变化情况.结合负阻效应逆转正电容的原理,对传感器的初始电容进行负向补偿以降低初始电容量,就能够以很低的电路成本实现系统分辨率与灵敏度的提高.
曹文刘春梅尚丽平陈海燕
关键词:电容传感器灵敏度负阻效应
一种CMOS基准电压源的设计
2007年
设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明,在VDD=5 V时,该电路具有6.5×10-6V/℃的温度特性和52 dB的电源抑制比。经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中。
陈海燕曹文胡莉
关键词:CMOS带隙基准电压源模拟电路
共1页<1>
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