高见头
- 作品数：36 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术理学更多>>
- 引线框架和半导体器件
- 本申请实施例公开了一种引线框架和半导体器件，其中引线框架包括：芯片安装片，所述芯片安装片用于安装芯片；引线架，围设在所述芯片固定架的周侧；桥接片，所述桥接片的一端连接于所述引线架，另一端连接于所述芯片安装片。本申请实施例...
- 王可高见头孙澎周净男蔡小五赵发展
- 一种功率器件的辐照测试电路及系统
- 本申请公开一种功率器件的辐照测试电路及系统，涉及电子器件测试技术领域，能够实现功率器件的原位测试，可以提高测试精度。功率器件的辐照测试电路，包括：功率器件；测试源表，用于向处于辐照环境中的所述功率器件提供电压激励，以及测...
- 王春林高见头张刚赵发展
- 三维集成电路 第1部分：术语和定义
- 本文件界定了基于硅通孔（TSV）或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。本文件适用于基于硅通孔（TSV）或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。
- 李锟肖克来提彭博彭勇高见头吴道伟陈先明
- 体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应
- 2021年
- 考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.
- 吴旭景王蒙军吴建飞李彬鸿郝宁高见头李宏张红丽
- 关键词：体硅绝缘体上硅静态随机存储器电磁敏感度温度效应
- 集成电路的通用单粒子效应测试系统设计被引量：1
- 2021年
- 为满足种类繁多、功能复杂集成电路的单粒子效应评估需求,克服目前国内地面单粒子辐照实验环境机时紧张、物理空间有限等方面的限制,设计实现了一款高效通用的集成电路单粒子效应测试系统。创新性地采用旋转立体垂直结构,包含一个多现场可编程门阵列(FPGA)电测试平台、运动控制分系统和被测器件装载板。便携式箱体结构仅需3个DB9接口即可完成所有与外界连线;基于LabVIEW实现上位机交互界面,界面友好;基于多FPGA平台实现下位机测试程序,灵活可扩展,通用性强。可实现8种300及以下管脚集成电路的一次安装、自动切换和10°~90°的角度辐射。实时监控并后台记录翻转数据、翻转时间、电路状态等细节信息,测试频率可达100 MHz。已通过专用集成电路(ASIC)、静态随机存取存储器(SRAM)、控制器局域网络(CAN)接口电路等集成电路的多次实测,验证了该系统的可靠性及其高效稳定、集成度高、安装调试方便等特点。
- 杨婉婉刘海南高见头高见头滕瑞罗家俊
- 关键词：虚拟仪器
- 芯片封装结构和半导体器件
- 本申请实施例提供了一种芯片封装结构和半导体器件，其中芯片封装结构包括：壳体；芯片过渡板，设置在所述壳体内；键合过渡片，设置在所述壳体内，沿所述芯片过渡板的长度或宽度方向布置；第一外引线连接于所述键合过渡片。该芯片封装结构...
- 高见头王可孙澎蔡小五赵发展
- 双极线性稳压器中子辐射位移效应研究
- 2020年
- 双极线性稳压器广泛应用于空间设备,中子辐射效应不容忽视。对国产双极线性稳压器在不同负载偏置下的中子辐射效应开展研究。试验过程中发现,负载越大,位移损伤效应越明显。试验后通过加载不同负载的详细在线测试发现,不同偏置下的输出电压差异是由于负载的不同引起的。辐照偏置对双极线性稳压器的位移损伤无显著影响,但中子位移效应导致了双极线性稳压器的带载能力严重降低,使其失去负载调整能力。因此,在工程评估时,应结合应用需求,选择合理的负载进行评估。
- 李彩王义元高见头崔帅陈斌王春林
- 关键词：中子辐照输出电压
- 一种电子元器件测试恒温系统
- 本实用新型涉及电子元器件技术领域，特别涉及一种电子元器件测试恒温系统。包括：制冷片、导热平台、加热片、温度传感器、夹具、电源及控制单元；导热平台的一侧设置有制冷片，另一侧设置有加热片；温度传感器设置在导热平台上，并与控制...
- 王春林高见头赵发展刘征罗家俊
- 文献传递
- 一种环形振荡器
- 本实用新型公开了一种环形振荡器，为双层绝缘衬底上的硅结构；所述环形振荡器包括：N个反相器，每个反相器包括N型MOS管和P型MOS管；N个反相器的接地接口均连接，N个反相器的电源接口均连接；N个反相器的N型MOS管的偏置电...
- 高见头李彬鸿赵发展罗家俊
- 文献传递
- 传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究被引量：1
- 2020年
- 为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在个别引脚和频段内SOI芯片具有更强的抗干扰能力。在不同工作温度下进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片在高温环境下具有较强的抗干扰能力。
- 李向前王蒙军吴建飞李尔平李彬鸿郝宁高见头
- 关键词：电磁兼容CAN控制器
