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魏红振

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇调制
  • 4篇调制器
  • 4篇硅波导
  • 4篇波导
  • 2篇氧化硅
  • 2篇折射率
  • 2篇正离子
  • 2篇输出信号
  • 2篇数据调制
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振不敏感
  • 2篇偏振分束器
  • 2篇微环
  • 2篇离子
  • 2篇脊形
  • 2篇脊形波导
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇分束器
  • 2篇负离子
  • 2篇PN

机构

  • 6篇华为技术有限...

作者

  • 6篇魏红振
  • 2篇沈晓安
  • 2篇白聿生
  • 2篇杨莉
  • 2篇陈宏民
  • 2篇潘华璞
  • 2篇刘宗荣
  • 2篇徐千帆

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
偏振不敏感微环调制器
一种实现为偏振不敏感微环调制器(PIMRM)(200)的透射型偏振不敏感调制器，包括第一偏振分束器‑旋转器(PSR)(103)、微环(204)、以及第二PSR(108)，第一PSR(103)用于从输入(102)生成具有共...
温扬敬白聿生魏红振
文献传递
垂直PN硅调制器
一种硅波导(110)，包括波导芯(118)，其包括第一正掺杂区域(111)，该区域也称为P1区域，第一正掺杂(P1)区域垂直地邻近于第二正掺杂区域(112)，该区域也称为P2区域。P2区域(112)比P1区域(111)更...
魏红振杨莉徐千帆沈晓安
文献传递
边缘耦合设备制造
提供了一种制造边缘耦合设备的方法和一种边缘耦合设备。该方法包括移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在覆层材料的剩余部分上以及在沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以...
潘华璞刘宗荣魏红振陈宏民
文献传递
边缘耦合设备制造
提供了一种制造边缘耦合设备的方法和一种边缘耦合设备。该方法包括移除一部分覆层材料，以在倒锥形硅波导上形成沟槽；在覆层材料的剩余部分上以及在沟槽中，沉积具有折射率大于二氧化硅的材料；以及移除在所述沟槽中的一部分所述材料，以...
潘华璞刘宗荣魏红振陈宏民
文献传递
垂直PN硅调制器
一种硅波导(110)，包括波导芯(118)，其包括第一正掺杂区域(111)，该区域也称为P1区域，第一正掺杂(P1)区域垂直地邻近于第二正掺杂区域(112)，该区域也称为P2区域。P2区域(112)比P1区域(111)更...
魏红振杨莉徐千帆沈晓安
文献传递
偏振不敏感微环调制器
一种实现为偏振不敏感微环调制器(PIMRM)(200)的透射型偏振不敏感调制器，包括第一偏振分束器‑旋转器(PSR)(103)、微环(204)、以及第二PSR(108)，第一PSR(103)用于从输入(102)生成具有共...
温扬敬白聿生魏红振
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