刘振兴
- 作品数：21 被引量：36H指数：3
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- MgB_2超导体块材的高压合成被引量：11
- 2001年
- 利用高压烧结的方法成功地合成出块状MgB2 超导体。所获得的样品具有良好的单相性。低温磁性测量实验和电阻测量实验均表明样品具有高于 39K的超导转变温度。实验结果表明 ,高压合成是制备和研究MgB2
- 李绍春朱嘉林禹日成李凤英刘振兴靳常青
- 关键词：MGB2超导体超导电性
- 低温高压条件下裂解聚吡咙薄膜导电性的初步研究
- 1997年
- 通过对裂解聚吡咙（ＰＭＤＡ－ＤＡＢ）薄膜导电性环境温度、裂解温度及压力关系的研究表明：其室温导电率随所加压力与裂解温度的升高而增加。电导与温度的依赖行为有赖于裂解温度Ｔｐ及所加的压力在Ｔｐ＜８００℃时，碳化过程产物能符合三维变程跃迁模型；而在Ｔｐ＞８００℃时，石墨化过程产物则比较符合修正的三维变程跃迁模型。最大的导电率是在裂解温度为１２００℃的裂解产物上在１．０５ＧＰａ压力下获得的，数值约１０００ｓ／ｃｍ。
- 刘振兴张殿琳朴明俊万梅香卢凤才
- 关键词：裂解温度聚吡咙
- 流体静压下研究电场畴的形成机制被引量：1
- 1997年
- 本文利用流体静压方法研究了掺杂弱耦合GaAs／AIAs超晶格中电场畴的形成机制．对于第一个电流类平台区域，我们观察到两种级联共振隧穿过程，即当p≤2kbar时，高场畴为Γ-Γ级联共振隧穿过程，而当p＞2kbar时，高场畴为Γ－X级联共振隧穿过程．对于第二个电流类平台区域，高场畴常压下为Γ－X级联共振隧穿．
- 孙宝权刘振兴江德生
- 关键词：流体静压半导体超晶格
- 压力对巨磁阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_(3+δ)物性的影响被引量：2
- 2000年
- 研究了不同含氧量LaCaMnO的压力效应 ,发现随压力的增加富氧样品电阻率的变化和相变温度的改变都比较小。同时还对照研究了压力与磁场对材料的影响 ,发现压力对整个温区的电阻都有明显的影响 ,而磁场仅对相变温度附近温区有明显的影响 ,这从实验上证实了两者有着不同的作用机制。
- 刘振兴费扬孟宪仁黄康权
- 关键词：载流子铁磁相变巨磁阻材料物性
- 名义成分为La_(1.0)Ca_(2.0)Mn_2O_7锰氧化物的压阻效应(英文)
- 2006年
- 利用低温高压电阻原位测量装置（自箝铍青铜活塞-圆筒式压砧），在0～1．05GPa静水压力范围内，对以层状钙钛矿结构为主相、名义成分为La1.0 Ca2.0 Mn2O7 的锰氧化物样品进行了压阻效应研究。实验观测到异常的压阻效应。在低温5～150K范围内，压力为0．55GPa时，样品呈现出高达40％的压阻效应，而且，金属-绝缘体相变温度在低压范围内随压力的增加而增加，但随着压力的进一步增加而减小。
- 朱嘉林刘振兴禹日成李凤英靳常青
- 关键词：电阻率压阻效应
- 高压固相反应法合成具有理想Ruddlesden-Popper结构的Ca_4Mn_3O_(10)层状化合物被引量：1
- 2002年
- 采用高压下的固相反应方法 ,成功地合成了具有空间群I4 mmm的理想三层结构化合物Ca4Mn3 O10 。用电子显微学方法对此结构进行了研究 ,并提出了近似的结构模型。基于提出的模型 ,进行了电子衍射图和高分辨像的模拟 ,并与实验结果进行了比较。
- 禹日成朱嘉林李凤英刘振兴靳常青李树有I.G.Voigt-Martin
- 关键词：层状化合物固相反应
- 湿化学法测TI系超导体中组份及空穴浓度
- 1993年
- 该文用湿化学方法和质量分析精确测定了Tl-Ba-Ca-Cu-O样品中Tl和O的含量及其结构式,计算了样品中Cu的平均价态及铜氧层中有效空穴浓度.分析表明,样品的零电阻转变温度随空穴浓度的变化,存在一最佳的样品空穴浓度,对应的转变温度Tc最大.
- 彭志强孟宪仁涂清云林明柱林振金桑丽华沈德元刘振兴
- 关键词：超导体空穴湿法钛
- 高压下Sr_2FeMoO_6的电学性质与相变被引量：3
- 2002年
- 采用电阻和电容测量方法,在金刚石压砧装置上研究了Sr2FeMoO6多晶粉末在室温下和20GPa内的电阻、电容和压力的关系。实验结果表明,样品的电阻和电容在约2.1GPa的压力下都产生了突然的变化,发生了金属化相变。这些变化可能是由高压下Sr2FeMoO6的电子结构相变引起的。
- 赵攀鲍忠兴柳翠霞李凤英刘振兴金明芝禹日成靳常青
- 关键词：电学性质原位测试钙钛矿结构巨磁电阻效应
- 低温和高压条件对GaAs/AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响被引量：1
- 1998年
- 在低温条件下用静水压法研究了掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格材料的电场畴形成及级联共振隧穿过程。对于第一电流类平台区域，我们观察到了两种级联共振隧穿过程。当Ｐ＜０．１６ＧＰａ时，高场畴为Γ－Γ级联共振隧穿过程；而当Ｐ＞０．１６ＧＰａ时，高场畴则为Γ－Ｘ级联共振隧穿过程。对温度－电阻的研究过程中发现了Ｒ－Ｔ的曲线变化亦与级联共振隧穿的产生有一定的关联。
- 刘振兴孙宝权江德生
- 关键词：超晶格砷化镓
- 高压下Sr_2FeMo_xNb_(1-x)O_6(x=0,0.3)的电学性质和结构稳定性
- 2003年
- 采用金刚石压砧高压装置,研究了双钙态矿结构化合物Sr2FeNbO6及其掺杂物Sr2FeMo0.3Nb0.7O6在室温下,20GPa内电阻和电容随压力的变化,并发现Sr2FeNbO6在7.5GPa左右压力下发生了相变,而Sr2FeMo0.3Nb0.7O6的相变发生在2.8GPa左右。并结合这两个样品的高压下的同步辐射能散X射线衍射实验,进一步证明了这两种相变是电子结构相变引起的。
- 赵旭禹日成李凤英刘振兴鲍忠兴唐贵德刘景靳常青
- 关键词：结构相变磁电阻巨磁电阻材料X射线衍射
