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刘洪超

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇刻蚀
  • 4篇薄膜生长
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇阵列
  • 2篇湿法刻蚀
  • 2篇籽晶
  • 2篇阻挡层
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇硅工艺
  • 2篇硅膜
  • 2篇硅
  • 1篇旋涂
  • 1篇硅衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 4篇中国科学院上...

作者

  • 4篇杨辉
  • 4篇陈小源
  • 4篇刘东方
  • 4篇张伟
  • 4篇王聪
  • 4篇刘洪超
  • 2篇鲁林峰

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺
本发明提供一种近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用干法刻蚀或外延生长工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡...
刘东方张伟刘洪超王聪陈小源杨辉
文献传递
一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法
本发明提供一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法，包括步骤：1）于具有周期性排列的硅棒的硅衬底表面形成阻挡层；2）于具有阻挡层表面形成硬掩膜；3）于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶；4）采用刻蚀工艺去除各所述硅棒...
张伟刘东方王聪刘洪超陈小源杨辉鲁林峰
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近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺
本发明提供一种近邻阴影效应辅助阵列法制备层转移薄晶硅工艺，包括：1)于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用干法刻蚀或外延生长工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2)于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡...
刘东方张伟刘洪超王聪陈小源杨辉
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一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法
本发明提供一种应用于层转移薄膜生长的籽晶阵列的制备方法，包括步骤：1）于具有周期性排列的硅棒的硅衬底表面形成阻挡层；2）于具有阻挡层表面形成硬掩膜；3）于所述硬掩膜表面旋涂PMMA及光刻胶；4）采用刻蚀工艺去除各所述硅棒...
张伟刘东方王聪刘洪超陈小源杨辉鲁林峰
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