成兰仙
- 作品数:2 被引量:0H指数:0
- 供职机构:华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金:广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域:金属学及工艺更多>>
- 活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与GaAs基板的低温焊接
- 2017年
- 采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪(EDS)研究了GaAs/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/GaAs焊接界面的微观结构及焊接机理.通过剪切试验测试了低温活性焊接的力学性能.结果表明,Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊料能够在250℃的空气环境中润湿GaAs基板;接头界面处有化合物Ga4Ti5生成.采用吸附理论和反应热力学方法分析了低温活性焊接机理.结果表明,GaAs基板与Ti原子之间存在较大的化学吸附能,可能是实现润湿的重要原因;GaAs与Ti原子发生界面反应并形成界面化合物是实现焊接的主要机理.保温时间1,30和60 min的焊接样品的抗剪强度分别是15.25,17.43和23.32 MPa,满足MIL-STD-883G-2006对芯片粘贴抗剪强度的要求.
- 吴志中李国元成兰仙王小强
- 关键词:抗剪强度
- 焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板低温活性焊接机理
- 2016年
- 采用扫描电镜、能谱仪和透射电镜研究了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊接SiO_2基板界面的微观形貌和焊接机理,并根据反应热力学和活性元素的吸附理论分析了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的焊接机理及焊接动力学过程.实验结果表明,焊接界面由Ti Si和Ti O_2形成.理论分析与实验结果一致表明:Ti元素在SiO_2基板表面的化学吸附可能是实现焊接润湿的主要原因,在焊接的初始阶段发挥重要的作用;Ti与SiO_2之间的界面反应并形成界面产物是实现Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板焊接的主要机理.
- 成兰仙李国元
- 关键词:活性元素