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成兰仙

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:华南理工大学电子与信息学院更多>>
发文基金:广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 2篇CE
  • 2篇GA
  • 1篇低温活性
  • 1篇抗剪
  • 1篇抗剪强度
  • 1篇活性元素
  • 1篇焊料
  • 1篇SIO

机构

  • 2篇华南理工大学
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 2篇李国元
  • 2篇成兰仙
  • 1篇王小强
  • 1篇吴志中

传媒

  • 1篇焊接学报
  • 1篇华南理工大学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与GaAs基板的低温焊接
2017年
采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪(EDS)研究了GaAs/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/GaAs焊接界面的微观结构及焊接机理.通过剪切试验测试了低温活性焊接的力学性能.结果表明,Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊料能够在250℃的空气环境中润湿GaAs基板;接头界面处有化合物Ga4Ti5生成.采用吸附理论和反应热力学方法分析了低温活性焊接机理.结果表明,GaAs基板与Ti原子之间存在较大的化学吸附能,可能是实现润湿的重要原因;GaAs与Ti原子发生界面反应并形成界面化合物是实现焊接的主要机理.保温时间1,30和60 min的焊接样品的抗剪强度分别是15.25,17.43和23.32 MPa,满足MIL-STD-883G-2006对芯片粘贴抗剪强度的要求.
吴志中李国元成兰仙王小强
关键词:抗剪强度
焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板低温活性焊接机理
2016年
采用扫描电镜、能谱仪和透射电镜研究了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊接SiO_2基板界面的微观形貌和焊接机理,并根据反应热力学和活性元素的吸附理论分析了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的焊接机理及焊接动力学过程.实验结果表明,焊接界面由Ti Si和Ti O_2形成.理论分析与实验结果一致表明:Ti元素在SiO_2基板表面的化学吸附可能是实现焊接润湿的主要原因,在焊接的初始阶段发挥重要的作用;Ti与SiO_2之间的界面反应并形成界面产物是实现Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板焊接的主要机理.
成兰仙李国元
关键词:活性元素
共1页<1>
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