您的位置： 专家智库 > >

李凯华

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：青岛科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇掺杂
  • 6篇石墨
  • 5篇氮掺杂
  • 5篇石墨烯
  • 5篇纳米
  • 5篇场发射
  • 4篇电子器件
  • 4篇场发射性能
  • 3篇屏幕
  • 3篇纳米线
  • 3篇SIC纳米线
  • 3篇AL掺杂
  • 3篇大屏幕
  • 3篇大屏幕LCD
  • 2篇一步法
  • 2篇一步法制备
  • 2篇真空
  • 2篇真空电子
  • 2篇真空电子器件
  • 2篇石墨型

机构

  • 8篇青岛科技大学

作者

  • 8篇李凯华
  • 7篇宋冠英
  • 7篇李镇江
  • 6篇孟阿兰
  • 6篇张猛

年份

  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
氮掺杂石墨烯@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管的制备方法和应用
本发明公开了一种氮掺杂石墨烯@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管的制备方法和应用。本发明以三聚氰胺和甲烷为反应原料，Si‑SiO<Sub>2</Sub>混合粉体为辅料，硝酸镍为催化剂，采用无模板一步化学气相反应法，...
李镇江宋冠英孟阿兰张猛李凯华
文献传递
无模板一步法制备高比例石墨型氮掺杂石墨烯管的方法
本发明公开了一种无模板一步法制备高比例石墨型氮掺杂石墨烯管的方法。以三聚氰胺为反应原料，硅粉为辅料，硝酸镍为催化剂，采用一步化学气相反应法，将真空气氛炉升温至1200～1250℃，保温20～30min后，再通入甲烷气体5...
李镇江宋冠英孟阿兰张猛李凯华
文献传递
具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线的制备及应用
一种具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线，其特征在于Al掺杂SiC纳米线的表面为一层由SiO<Sub>2</Sub>纳米球联接Al掺杂SiC纳米线构成的网状纳米结构，其制备方法主要包括：以聚碳硅烷、硅粉和硝酸铝为反应原...
李镇江宋冠英孟阿兰李凯华张猛
氮掺杂石墨烯SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管的制备方法和应用
本发明公开了一种氮掺杂石墨烯SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管的制备方法和应用。本发明以三聚氰胺和甲烷为反应原料，Si?SiO<Sub>2</Sub>混合粉体为辅料，硝酸镍为催化剂，采用无模板一步化学气相反应法，在...
李镇江宋冠英孟阿兰张猛李凯华
文献传递
具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线的制备及应用
一种具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线，其特征在于Al掺杂SiC纳米线的表面为一层由SiO<Sub>2</Sub>纳米球联接Al掺杂SiC纳米线构成的网状纳米结构，其制备方法主要包括：以聚碳硅烷、硅粉和硝酸铝为反应原...
李镇江宋冠英孟阿兰李凯华张猛
文献传递
Al、Al/N共掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算
SiC纳米线是典型的第三代宽禁带半导体材料。除了SiC本身高熔点、高硬度、良好的热稳定性、优异的力学性能和高温性能外,SiC纳米线还能够在高频、高功率和强辐射等极端环境被应用。优异的物理化学性能及特殊的纳米结构使SiC纳...
李凯华
关键词：SIC纳米线AL掺杂场发射
文献传递
一种氮掺杂石墨烯@SiO2同轴纳米管场发射阴极
一种氮掺杂石墨烯@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管场发射阴极，包括导电基底、生长在基底上的氮掺杂石墨烯@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管。本方案提供的氮掺杂石墨烯@SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米管...
宋冠英李镇江李凯华
文献传递
无模板一步法制备高比例石墨型氮掺杂石墨烯管的方法
本发明公开了一种无模板一步法制备高比例石墨型氮掺杂石墨烯管的方法。以三聚氰胺为反应原料，硅粉为辅料，硝酸镍为催化剂，采用一步化学气相反应法，将真空气氛炉升温至1200～1250℃，保温20～30min后，再通入甲烷气体5...
李镇江宋冠英孟阿兰张猛李凯华
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0