李发明
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体激光器腔面镀膜技术研究进展
- 2007年
- 本文介绍了近年来半导体激光器腔面镀膜技术的研究进展，重点综述了膜系设计，工艺技术、薄膜材料及测试技术等几个方面的研究热点和重要成果，最后还对半导体激光器腔面镀膜的未来进行展望。
- 王致远刘方楠李发明
- 关键词：增透膜高反膜脉冲激光沉积
- 四象限InGaAs APD探测器的研究
- 2007年
- 文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。
- 王致远李发明刘方楠
- 关键词：响应度暗电流
