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梁云

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：北京时代民芯科技有限公司更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电路
  • 1篇电平
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇数字电路
  • 1篇数字集成电路
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补金属氧化...
  • 1篇集成电路
  • 1篇半导体
  • 1篇CMOS数字...
  • 1篇大电流

机构

  • 1篇北京时代民芯...

作者

  • 1篇赵春荣
  • 1篇李兴鸿
  • 1篇林建京
  • 1篇赵俊萍
  • 1篇梁云

传媒

  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
中间电平对CMOS数字电路的影响被引量：1
2013年
很多情况都可以导致CMOS数字集成电路产生大的电源电流,但以CMOS的输入处于Vilmax与Vihmin之间的转折区而产生的大电流最为常见;而且其影响很重要,甚至会导致闩锁效应而对电路造成损坏。转折区的危险电平由管脚浮空、误操作、输入脉冲的上下沿和双向I/O这几种状态所产生。对每一种状态的影响及其原因进行了详细的分析,给出了解决的方法。对电路设计、试验、测试和分析具有一定的参考价值。
李兴鸿赵俊萍赵春荣林建京梁云
关键词：互补金属氧化物半导体数字集成电路大电流
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共1页<1>
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