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王一义

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
发文基金：中国航空科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇抛光
  • 1篇漏电流
  • 1篇接触特性
  • 1篇化学抛光
  • 1篇反向漏电
  • 1篇反向漏电流
  • 1篇AU
  • 1篇HG
  • 1篇I-V特性

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇任洁
  • 1篇傅莉
  • 1篇王一义

传媒

  • 1篇热加工工艺

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
化学抛光对Au/Hg_3In_2Te_6接触特性的影响
2012年
采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6(简称MIT)表面制备了Au和In金属电极,探讨了MIT晶片的化学抛光工艺对其表面成分偏析和Au/MIT接触特性的影响规律与机制,优化了MIT晶体的化学抛光工艺参数。结果表明,MIT晶片采用5%Br2-C3H7ON溶液化学抛光2 min后,MIT晶片表面元素组分更接近标准计量比,所制备出的Au/MIT接触的反向漏电流最小。
王一义傅莉任洁
关键词：化学抛光反向漏电流I-V特性
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共1页<1>
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