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王英

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:天津师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:天津市高等学校科技发展基金计划项目博士科研启动基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇介电
  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电性能
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇锆钛酸铅
  • 1篇介电谱
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇基板
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基板
  • 1篇PLZT

机构

  • 2篇天津师范大学

作者

  • 2篇张超
  • 2篇余大书
  • 2篇王英
  • 1篇焦永恒
  • 1篇未治奎
  • 1篇迟媛媛

传媒

  • 1篇山西师范大学...
  • 1篇武汉工程大学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
锆钛酸铅95/5薄膜的介电性能与弛豫特征
2012年
采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸铅95/5(PZT95/5)薄膜,通过分析介电温度谱、介电频谱研究薄膜的介电性能.研究结果表明:介电常数-温度曲线ε(T)的相变峰随着频率的增加而逐渐变得平坦.同时,介电常数倒数与温度曲线ε-1(T)在高频不符合居里外斯定律;采用普适弛豫定律公式,对不同温度下的介电频谱曲线ε(f)进行拟合,得到弥散系数随着温度的变化曲线,该曲线在铁电-顺电转变以及反铁电-铁电转变这两个特征温度附近出现异常,结合材料反铁电-铁电-顺电相变的微观结构变化规律对此现象进行了讨论.
王英张超迟媛媛余大书
关键词:溶胶-凝胶介电谱
PLZT在硅基板上的介电行为研究
2010年
本文将Pb0.93La0.07Zr0.40Ti0.60O3薄膜镀到硅基底上,制得薄膜在硅基底铜电极上的电容器模型.高频段下(达120 MHz)测试了PLZT介电温度效益,100 MHz、室温下的介电常数是1 360,损耗为0.08,居里温度下介电常数是3 780,损耗为0.91.其在居里点附近弥散区域非常宽,通过计算得到弛豫时间的数量级为10-9s.
未治奎张超焦永恒王英余大书
关键词:电容器
共1页<1>
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