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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇多孔硅
  • 1篇性能研究
  • 1篇荧光
  • 1篇退火
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外荧光
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 2篇刘俊刚
  • 2篇张云森
  • 2篇龚敏
  • 2篇孙小松
  • 2篇杨治美
  • 2篇刘东来
  • 2篇聂二勇
  • 1篇袁超
  • 1篇沈晓帆

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
电化学阳极氧化制备多孔硅及其发光性能研究被引量:3
2011年
利用电化学阳极氧化法,通过控制电流密度和电解液的成分,在p型(100)硅衬底上制备了大孔的多孔硅结构,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外荧光光度计研究了不同条件下制备的多孔硅样品的行貌特征、结构和发光性能。在此基础上进一步考察了对多孔硅样品进行氢氟酸浸泡刻蚀和阴极氢饱和处理对其发光性能的影响。讨论了后处理对多孔硅发光性能影响的机理。
刘东来聂二勇张云森袁超沈晓帆杨治美刘俊刚龚敏孙小松
关键词:多孔硅光致发光
Zn-ZnO纳米结构的制备及退火条件对其光学性能的影响
2010年
用电化学沉积方法在Si衬底上制备出Zn-ZnO纳米结构,并在空气中不同温度的条件下对其进行退火处理。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光度分光计对所得样品进行表征。通过对测试结果的分析和讨论发现,退火过程改变了Zn-ZnO纳米结构的物相、结构和晶体质量,进而改变了它的荧光性能。重点关注退火过程对样品紫外荧光峰的影响,并通过高斯拟合揭示了各条件下紫外荧光峰的发光机理。通过比较,800℃的退火条件能明显改善Zn-ZnO纳米结构的表面形貌和晶体质量,显著增强其紫外荧光峰的强度。
聂二勇刘东来张云森杨治美刘俊刚龚敏孙小松
关键词:电化学沉积退火紫外荧光
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