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袁炜

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇信号
  • 4篇硅衬底
  • 4篇衬底
  • 3篇量子阱器件
  • 3篇晶体管
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇信号探测
  • 2篇通信
  • 2篇晶体管特性
  • 2篇光谱匹配
  • 2篇光致
  • 2篇光子
  • 2篇和光
  • 2篇P-N结
  • 2篇波导
  • 1篇电注入
  • 1篇神经刺激
  • 1篇神经元
  • 1篇双工

机构

  • 7篇南京邮电大学

作者

  • 7篇袁炜
  • 6篇王永进
  • 5篇高绪敏
  • 4篇许银
  • 4篇袁威
  • 2篇白丹
  • 2篇蔡玮
  • 2篇李远航
  • 2篇蔡伟
  • 2篇杨永超

年份

  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法
本发明提供一种基于p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片及制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱二极管器件的全双工通信芯片，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空...
王永进杨永超高绪敏袁佳磊李远航朱桂遐袁炜
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悬空p-n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法
本发明公开了一种悬空p?n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p?n结量子阱器件，所述p?n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两...
王永进高绪敏朱桂遐许银袁威蔡伟袁炜
可见光微米级蓝光通信器件
可见光通信(VLC)已经渗透到各行各业，在当代及未来社会拥有广阔的发展前景。蓝光发光二极管(LED)拥有高能效、低功耗的优势，充当蓝光通信系统的光源，在以照明为主的智能交通、航海导向、射频检测、医学治疗等多领域具有交叉作...
袁炜
关键词：光子集成电路弯曲波导可见光通信
基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法
本发明提供一种基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本...
王永进袁威高绪敏蔡玮白丹许银朱桂遐袁炜
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一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片
本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是...
王永进李远航杨永超朱桂遐袁炜袁佳磊
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悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法
本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p‑n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两...
王永进高绪敏朱桂遐许银袁威蔡伟袁炜
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基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法
本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本...
王永进袁威高绪敏蔡玮白丹许银朱桂遐袁炜
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