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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶一凝胶
  • 1篇溶胶一凝胶法
  • 1篇BI1
  • 1篇BIFEO
  • 1篇GD掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇湖北师范学院
  • 1篇黄石理工学院

作者

  • 1篇王秀章
  • 1篇晏伯武
  • 1篇刘美风
  • 1篇李文庆
  • 1篇许胜祥
  • 1篇戴志高

传媒

  • 1篇湖北师范学院...

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Gd掺杂对BiFeO_3薄膜电性能的影响被引量:2
2009年
采用溶胶-凝胶方法在FTO/glass底电极上制备了Gd掺杂B iFeO3薄膜。研究了Gd掺杂对B iFeO3薄膜的晶体结构、铁电性能和漏电流的影响.XRD测试表明薄膜获得良好的结晶。铁电性的测试表明,通过Gd掺杂,使薄膜的铁电性得到了增强,剩余极化强度由50.1μC/cm2增加到89.6μC/cm2.
王秀章晏伯武戴志高刘美风许胜祥李文庆
关键词:溶胶一凝胶法GD掺杂
共1页<1>
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