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严成峰

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇单晶
  • 4篇碳化硅单晶
  • 4篇坩埚
  • 4篇硅单晶
  • 4篇大尺寸
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体生长
  • 2篇面孔
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇温度梯度
  • 1篇夹心层
  • 1篇保温
  • 1篇保温材料
  • 1篇PVT
  • 1篇SIC
  • 1篇掺氮

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇严成峰
  • 4篇刘熙
  • 1篇施尔畏
  • 1篇姜涛

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置
本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温...
刘熙严成峰忻隽孔海宽肖兵杨建华施尔畏
文献传递
大尺寸碳化硅单晶生长装置
本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全...
刘熙严成峰忻隽孔海宽肖兵杨建华施尔畏
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退火处理对掺氮6H-SiC晶体的影响
碳化硅(SiC)晶体作为第三代半导体材料,由于其具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率等优秀的物理性能和电学性能1,在制备高温、高频、大功率以及抗辐射器件领域具有广阔的应用前景2。目前比较成的碳化硅晶体...
姜涛严成峰施尔畏
关键词：SIC碳化硅PVT
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大尺寸碳化硅单晶生长装置
本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全...
刘熙严成峰忻隽孔海宽肖兵杨建华施尔畏
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轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置
本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温...
刘熙严成峰忻隽孔海宽肖兵杨建华施尔畏
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