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乔艳敏

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇外延片
  • 1篇芯片
  • 1篇击穿电压
  • 1篇集成电路
  • 1篇CMOS集成
  • 1篇CMOS集成...
  • 1篇CMOS芯片

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇韩兆芳
  • 1篇谢达
  • 1篇乔艳敏

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系被引量：1
2016年
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。
韩兆芳谢达乔艳敏
关键词：CMOS集成电路闩锁效应外延片
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共1页<1>
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