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刘雪飞: 作品数：26 被引量：28H指数：3; 供职机构：贵州师范大学物理与电子科学学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金贵州省科技计划项目更多>>; 相关领域：文化科学理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

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高效率同步电流模开关电源设计与仿真: 2014年; 本文设计了一款同步降压型开关电源。创新地提出了脉宽-跳周期方式有效地提高了轻载效率；仿真结果表明，电源输入电压范围为2.3-4V；当电源输入电压为3.3V、工作频率为2MHz时，输出电压稳定在1.8V，纹波小于2%；当负载电流为1A，电源电压从3.3突变到4V变化时，线性调整率为0.7%；当负载从0.5突变到1.1A变化时，负载调整率为0.8%；当负载从70mA-1A变化时电源转换效率保持在65%-95.2%。; 刘雪飞

基于51单片机的数控直流稳压电源制作被引量：1: 2019年; 本文是基于51单片机为核心,设计制作了一种数控稳压电源。硬件方面包括稳压电路、反馈电路、按键电路、显示电路以及支持单片机运行的复位和时钟电路,经过稳压部分构成反馈,稳压后获得稳定的0~12V的稳定步进0.1V可调节电压,并通过A/D采样反馈后,在LED数码管显示实现数控。; 刘雪飞王建林; 关键词：直流稳压电源 51单片机反馈电路 A/D采样数码管显示稳压电路

提高电子类专业学生动手能力浅析: 2018年; 本文主要论述如何提高电子类专业学生在实践环节的能力。文章从分析高校大多数电子类学生动手能力普遍较低的原因出发,并基于这些原因提出相应解决办法。经过实践验证,对学生动手能力的提高有明显的促进作用。; 刘雪飞刘万松; 关键词：课程设计

二维g-AlN材料中n型掺杂探索:基于第一性原理的带电缺陷计算被引量：1: 2021年; 电荷转移能级和缺陷形成能的计算对探索半导体材料的n型和p型掺杂效率具有重要的指导意义.基于第一性原理方法,结合二维带电缺陷计算理论,系统计算了二维氮化铝中四种(C_(Al),Si_(Al),Ge_(Al),Sn_(Al))可能的n型掺杂体系的结构、磁学、电学以及缺陷性质.结果表明,四种体系的最稳定价态均为+1价和0价,Sn_(Al)具有较深的施主能级,不具备为二维g-AlN提供n型载流子的条件,而C_(Al),Si_(Al),Ge_(Al)表现为浅能级施主特性,均能在一定条件下成为理想的施主杂质,其中Si_(Al)具有最浅的施主特性以及最低的缺陷形成能,因而是二维g-AlN中实现n型掺杂的首选掺杂剂.另外,在p型二维g-AlN中,四种掺杂原子都会成为有效的空穴捕获中心,严重降低p型载流子导电率.研究数据将会为实验上实现二维g-AlN n型掺杂提供理论解释和指导.; 刘雪飞吕兵肖文君罗子江; 关键词：第一性原理

高职院校辅导员绩效考核问题及优化策略研究——以GY学院为例被引量：1: 2019年; 作为一线的管理者和教育者,辅导员已经成为高职院校建设的重要力量。加强高职院校辅导员绩效考核管理,是提高辅导员队伍素质和管理水平,实现学院长远发展的有力保障。本文在分析GY学院辅导员绩效考核中存在问题的基础上,提出切实可行的优化策略,以期为完善高职院校的绩效考核体系提供参考。; 代芳俊刘雪飞; 关键词：高职院校辅导员绩效考核

GaAs(001)薄膜的表面形貌相变和表面重构: 2021年; 从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不同尺度的Scanning tunneling microscope(STM)实空间扫描图像,获取GaAs(001)薄膜表面形貌相变和表面重构的重要信息,深入地研究GaAs(001)表面形貌相变和表面重构的相互促进关系。研究发现表面重构的变化是促使表面形貌发生相变的主要动力,单一表面重构组成的GaAs(001)表面形貌更容易处于有序平坦相,GaAs(001)表面预粗糙相则是由两种同类型或者重构原胞差异很小的表面重构交织混合形成,当表面由两种完全不同类型的表面重构交错混合形成时GaAs(001)表面形貌将进入粗糙状态。研究结果表明GaAs(001)表面重构是表面形貌发生相变过程的微观内在原因,而GaAs(001)表面形貌相变是表面重构发生变化的宏观外在体现。; 刘雪飞吕兵罗子江王继红郭祥杨秀璋; 关键词：GAAS(001)RHEED STM

二维BN中四种本征带电缺陷电学和磁学性质第一性原理计算: 2021年; 本征缺陷是半导体中最常见的缺陷,对本征缺陷在带电情况下的电学和磁学性质进行研究对深入理解半导体材料属性至关重要。本文基于密度泛函理论,首先对二维六方氮化硼(h-BN)的本征电子结构、载流子有效质量,弹性模量、杨氏模量和泊松比进行计算,发现其载流子有效质量具有各向异性,力学性质具有各向同性。然后对h-BN中最稳定价态下4种本征缺陷(VB,VN,BN,NB)的结构、电学和磁学性质进行深入讨论,结合电子配位构型和自旋态密度解释了各种缺陷在不同带电价态下的磁矩产生机制。; 刘雪飞吕兵罗子江; 关键词：本征缺陷磁学性质第一性原理

基于深度学习与嵌入式系统课程结合的教学案例实践探索: 2024年; 进入人工智能时代,学生就业压力激增,客观上要求高校的课程体系做新的调整,增强人工智能专业课程的社会适应性,探索课程内容体系构建的可能路径,是人工智能专业教学改革的核心课题。为此,该文提出深度学习与嵌入式系统两门课程相结合的综合教学案例实践,在人工智能专业开设一门实践课,使用以赛促学的方式培养学生创新思维,提高学生软硬实践能力,以适应现代社会对综合型人才的需求。; 王德贵彭圣哲孙小倩李艳梅刘雪飞刘雪飞戎小凤陈璇; 关键词：人工智能嵌入式系统课程

二维h-BN材料p型可掺杂性研究被引量：1: 2020年; 掺杂对提高半导体材料的载流子浓度,改善半导体器件性能具有关键意义。理论上,通过计算带电缺陷形成能和电荷转移能级可以预测半导体材料中的p型掺杂是否容易实现。本文基于广义梯度近似理论,利用第一性原理方法,结合二维带电缺陷校正技术,并使用维也纳第一性原理计算软件(VASP)系统计算了二维六方氮化硼(h-BN)中的几种掺杂体系,包括X B体系(X=Be,Mg,Ca,Sr)和Y N体系(Y=C,Si,Ge)共7种潜在的p型掺杂体系的缺陷性质。计算结果表明,SiN缺陷的受主离子化能为0.8 eV,表现为准浅能级受主,而其它6种缺陷均为深能级受主,无法为h-BN提供有效p型载流子。SiN具有较高的缺陷形成能,因而只能靠离子注入等非平衡方式掺入到h-BN中。; 肖文君刘天运刘雪飞罗子江; 关键词：第一性原理 P型掺杂

平衡计分卡在高职辅导员评价指标设计中的应用被引量：1: 2019年; 该文针对高职院校辅导员工作的特点,尝试引入平衡计分卡这一战略绩效管理工具,从财务、客户、内部流程、学习与成长等维度来构建科学系统的工作评价指标体系,切实加强高职辅导员队伍专业化职业化建设。; 代芳俊刘雪飞; 关键词：平衡计分卡评价指标高职辅导员