康淮
- 作品数：11 被引量：25H指数：5
- 供职机构：中南民族大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学更多>>
- 掺镁氧化锌薄膜结构及其光学性质的研究被引量：13
- 2017年
- 以氧化镁(MgO)掺杂的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺镁ZnO(ZnO:Mg)薄膜样品.通过X射线衍射仪和可见-紫外光分光光度计的测试表征,研究了溅射时间对ZnO:Mg薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:ZnO:Mg薄膜的结构和性能与溅射时间密切相关.随着溅射时间的增加,ZnO:Mg薄膜(002)晶面的织构系数减小、(110)晶面的织构系数增大,对应的可见光波段的平均透过率降低.溅射时间为15 min时,ZnO:Mg薄膜样品具有最佳的(002)择优取向生长特性和最好的透光性能.同时ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度随溅射时间增加而单调增大.与未掺杂ZnO薄膜相比,所有ZnO:Mg薄膜样品的禁带宽度均变宽.
- 钟志有康淮陆轴龙路
- 关键词：磁控溅射氧化锌晶体结构光学性质
- 氧化铟锡TCO薄膜的制备及其结晶性能研究被引量：7
- 2016年
- 以掺锡氧化铟陶瓷靶材作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱仪(XPS)测试表征,研究了生长温度对薄膜结晶性质和微结构性能的影响.结果表明:所沉积的ITO薄膜均具有体心立方的多晶结构,其生长特性和微结构性能明显受到生长温度的影响.生长温度升高时,薄膜(222)晶面的织构系数T_(C(222))和晶粒尺寸先增后减,而晶格应变和位错密度则先减后增.当生长温度为500 K时,ITO样品的织构系数T_(C(222))最高(1.5097)、晶粒尺寸最大(52.8 nm)、晶格应变最低(1.226×10^(-3))、位错密度最小(3.409×10^(14)m^(-2)),具有最佳的(222)晶面择优取向性和微结构性能.
- 顾锦华陆轴龙路康淮钟志有
- 关键词：氧化铟锡微结构
- 掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜的光学和电学性能研究(英文)被引量：4
- 2020年
- 采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺镓锌镁氧化物透明导电薄膜,通过霍耳效应仪和紫外-可见分光光度计的测试分析,研究了工作压强对薄膜光学和电学性能的影响.结果表明,所制备薄膜的电光性能与工作压强密切相关.当工作压强为3.6 Pa时,样品的电阻率最低为1.54×10^-3Ω·cm、可见光区平均透过率最高为87.72%、品质因数最大为4.72×10^3Ω^-1·cm^-1,具有最好的光电综合性能.采用外推方法获得了薄膜样品的直接光学能隙,结果显示其数值大于未掺杂的氧化锌.
- 顾锦华朱雅康淮龙浩
- 关键词：透明导电氧化物磁控溅射
- 磁控溅射沉积镓掺杂氧化锌薄膜的微观结构性质研究(英文)被引量：1
- 2021年
- 采用磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积镓掺杂氧化物透明导电薄膜样品,通过X-射线衍射仪的测试表征及其定量分析研究了薄膜样品的结晶性质和微观结构性能.结果表明,所沉积的样品均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有(002)择优取向生长特性,其晶格常数、晶面间距和Zn-O键长等参数与标准值一致.当膜厚为570 nm时,薄膜样品的(002)织构系数和晶体尺寸最大、晶格应变和位错密度最小,具有最好的晶体质量和微观结构性能.
- 顾锦华顾锦华康淮
- 关键词：磁控溅射微观结构
- 镓镁锌氧化物透明导电薄膜的制备及其表征（英文）被引量：5
- 2018年
- 采用磁控溅射方法制备了镓镁锌氧化物(GaMgZnO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计的测试分析,研究了沉积温度对GaMgZnO薄膜微观结构和电光性能的影响.结果显示:所制备的样品均为六角纤锌矿结构的多晶薄膜并具有c轴择优取向生长特点,其结晶质量和电光性能与沉积温度密切相关.当沉积温度为550 K时,GaMgZnO薄膜的晶粒尺寸最大(51.72 nm)、晶格应变最小(1.11×10^(-3))、位错密度(3.73×10^(14) line·m^(-2))、电阻率最低(1.63×10^(-3)Ω·cm)、可见光区平均透过率(82.41%)、品质因数最大(5.06×10~2Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的结晶质量和光电综合性能.另外采用光学表征方法获得了薄膜样品的光学能隙,结果表明由于受Burstein-Moss效应的影响,GaMgZnO薄膜的光学能隙均大于未掺杂ZnO的数值.
- 顾锦华朱雅陆轴康淮
- 关键词：磁控溅射透明导电薄膜
- 镁钇合掺氧化锌薄膜的制备及其性能研究被引量：6
- 2018年
- 以镁钇掺杂的氧化锌(Zn O)陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了镁钇合掺Zn O(MYZO)薄膜样品.通过X射线衍射仪和分光光度计的测试表征,研究了薄膜厚度对MYZO样品结构性质和光学性能的影响.结果表明:MYZO样品均为六角纤锌矿型的多晶结构,并且其择优取向生长特性明显受到薄膜厚度的影响,当薄膜厚度为290 nm时,MYZO样品具有(002)择优取向生长特性.另外通过光学表征方法获得了MYZO样品的光学能隙、折射率和消光系数,结果显示:MYZO样品的光学能隙大于未掺杂Zn O能隙,其折射率均表现为正常色散特性,并且遵循Wemple-Di Domenico单振子色散模型.
- 钟志有康淮龙浩
- 关键词：磁控溅射光学性质
- 氧气等离子体处理对铟锡氧化物薄膜表面性质的影响（英文）被引量：4
- 2019年
- 采用氧气等离子体处理对铟锡氧化物(ITO)薄膜进行表面改性,基于化学组分、接触角、表面能和极性度的测试表征,研究了氧气等离子体处理对ITO表面性质的影响以及表面性能随放置时间的变化.实验结果表明:氧气等离子体处理有效去除了ITO表面的污染物,改善了ITO表面的化学组分、提高了表面能、极性度和润湿性,从而优化了ITO的表面性能.但是随着处理后放置时间的增加,ITO薄膜的表面能减小、极性度降低、润湿性退化,从而相应的表面性能也变差.
- 顾锦华陆轴康淮
- 关键词：铟锡氧化物表面性质
- 磁控溅射制备镁镓共掺氧化锌透明半导体薄膜及其性能研究
- 2018年
- 以MgO∶Ga_2O_3∶ZnO(2%∶2%∶96%,质量分数)陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备了镁镓共掺氧化锌(MGZO)透明半导体薄膜。采用XRD、SEM、霍尔效应仪和分光光度计对MGZO薄膜进行测试表征,研究了溅射压强对MGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响。结果表明:所有MGZO薄膜均为六角纤锌矿结构并具有(002)择优取向生长特性,溅射压强对薄膜晶体结构和光电性能有明显影响,但几乎不影响其直接光学能隙(3.41~3.44eV)。当溅射压强为3.5Pa时,MGZO薄膜的结晶质量最好、张应力最小(8.29×10-2 GPa)、电阻率最低(1.62×10-3Ω·cm)、可见光区平均透过率最高(87.8%)、品质因数最大(4.76×103Ω^(-1)·cm^(-1)),具有最好的光电综合性能。
- 康淮陆轴钟志有龙浩
- 关键词：氧化锌磁控溅射光电性能
- 镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究被引量：1
- 2016年
- 采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga Zn O样品为多晶薄膜,并且都具有六角纤锌矿型结构和(002)晶向的择优取向生长特性;其(002)取向程度、结晶性能和微结构参数等均与薄膜厚度密切相关.随着薄膜厚度的增大,Ga Zn O样品的(002)择优取向程度和晶粒尺寸表现为先增大后减小,而位错密度和晶格应变则表现为先减小后增大.当薄膜厚度为510 nm时,Ga Zn O样品具有最大的(002)晶向织构系数(2.959)、最大的晶粒尺寸(97.8 nm)、最小的位错密度(1.044×1014m-2)和最小的晶格应变(5.887×10-4).
- 钟志有陆轴龙路康淮
- 关键词：磁控溅射氧化锌薄膜晶粒生长微结构
- 器件结构对聚合物太阳能电池内部光电强分布的影响被引量：7
- 2016年
- 针对以电子给体聚(3-己基噻吩)(P3HT)和电子受体6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM)共混薄膜为活性层的本体异质结聚合物太阳能电池,根据光学干涉效应和转移矩阵方法建立了非相干光吸收理论模型,研究了电极修饰层、活性层和阴极的厚度对电池内部光电场分布和活性层内部光电场强度的影响.结果表明:各功能层厚度对电池内部光电场分布和活性层光电场强度具有不同程度的影响,其中活性层和电极修饰层厚度的影响较大,而阴极厚度的影响较小;引入合适厚度的电极修饰层有利于增加活性层内部的光电场强度,提高太阳能电池的能量转换效率,改善器件的光伏性能.
- 钟志有康淮陆轴龙路
- 关键词：聚合物太阳能电池
