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徐洪艳

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇损伤阈值
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇激光处理
  • 1篇GAN薄膜

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇屠晶景
  • 1篇杨忠孝
  • 1篇宁永功
  • 1篇陶华锋
  • 1篇徐洪艳

传媒

  • 1篇激光技术

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
激光处理GaN薄膜的研究被引量：1
2005年
通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64 J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低。并对机理进行了分析。
陶华锋杨忠孝宁永功屠晶景徐洪艳
关键词：GAN薄膜损伤阈值激光处理缺陷密度
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共1页<1>
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