王储君
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 一种改进的高频GaN HEMT器件模型被引量：1
- 2021年
- 提出了一种改进的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的小信号和大信号模型。该小信号模型通过改进拓扑结构来提升对高频下分布式效应的拟合,对比栅宽为4×30μm的100 nm栅长GaN HEMT器件,在110 GHz内的平均拟合误差为3.48%。在非线性电流模型中,改进的电流方程提升了对低栅压下直流I-V特性的拟合精度,通过结合非线性电容模型,构建了GaN HEMT大信号模型。对比35 GHz负载牵引系统的测试数据,大信号模型仿真结果表明,改进的非线性模型对GaN HEMT大信号特性有良好的预测能力。
- 余国栋汪珍胜王储君王维波陶洪琪
- 关键词：小信号模型大信号模型
- Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法
- 2014年
- 介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取。采用该方法对2μm工艺、叉指数为2、发射结面积为2μm×20μm的HBT模型管进行了提取,提取结果在DC-20GHz频率范围内具有较好的精度,提取误差小于6%。
- 王储君钱峰项萍郑惟彬
- 关键词：小信号模型HBT电路拓扑结构模型参数PI型
- 一种改进EE_HEMT电容方程的GaN HEMT器件模型
- 2017年
- 在传统的EE_HEMT模型基础上,通过修改电容方程,得到一个新的可适用于GaN HEMT器件的模型。新电容模型主要通过tanh函数拟合和的变化趋势。在ICCAP软件中,完成新模型参数的提取;在ADS软件中,完成S参数仿真和负载牵引仿真,并与实测结果进行了对比,最大功率点性能拟合效果得到改善。文中描述的新模型,可在一定程度上提高GaN HEMT模型仿真精度。
- 薛伟韬刘伊民王储君钱峰
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管
