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陈玉皎

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇正反馈
  • 1篇锁存
  • 1篇锁存器
  • 1篇总剂量
  • 1篇抗辐照
  • 1篇高压CMOS
  • 1篇比较器
  • 1篇SOI工艺
  • 1篇ESD

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇无锡市商业职...

作者

  • 2篇陈玉皎
  • 1篇马镇
  • 1篇潘小敏
  • 1篇范晓婕

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种用于高压CMOS SOI工艺的抗辐照双向高压ESD结构
本发明涉及高压CMOSSOI工艺技术领域，特别涉及一种用于高压CMOS SOI工艺的抗辐照双向高压ESD结构，包括n个依次串联的ESD单元结构，其中n为大于等于1的整数；每个ESD单元结构包括：两个NMOS管N1、NMO...
林中瑀陈玉皎毛烁马镇
一种应用于高速高精度模数转换器的比较器被引量：1
2010年
文中设计了一种基于CMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器。该比较器包含一个全差分开关电容采样级、一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器。预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度。基于0.18μm 1.8V CMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于500 MSPS高精度流水线模数转换器。
潘小敏范晓婕陈玉皎
关键词：比较器正反馈锁存器
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共1页<1>
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