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不同剂量率下SOI NMOS瞬时辐照效应数值仿真: 采用Sentaurus TCAD 构建了SOI NMOS 的二维模型，研究了总剂量相同而剂量率不同条件下器件的电学响应。分析了γ辐照效应的损伤机理，数值模拟了漏电流瞬变峰值随时间的变化关系以及不同偏置状态对SOI NMO...; 马婷贺朝会唐杜张晋新李培; 关键词：Γ射线剂量率数值模拟

不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟被引量：2: 2017年; 为研究不同偏置条件对SiGe异质结双极晶体管(HBT)剂量率效应的影响,采用半导体模拟软件Sentaurus TCAD构建了SiGe HBT三维数值仿真模型,研究了不同剂量率、不同偏置条件下SiGe HBT在γ瞬时辐照时各端口电流瞬变峰值随时间的变化及Gummel特性曲线的变化。结果表明,器件各端口的电流瞬变峰值随剂量率的增加而增加;不同端口对γ瞬时辐射响应的最劣偏置不同。同一端口在不同偏置条件下的瞬变电流也不同:集电极瞬变电流在衬底反偏时较大,基极瞬变电流在截止偏置时较大,衬底瞬变电流在衬底反偏时较大。产生这些现象的主要原因是不同偏置条件下载流子输运方式的变化和外加电场的影响。; 马婷张晋新贺朝会唐杜李培; 关键词：HBT Γ辐射数值模拟

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马婷