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刘存生

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇驱动器
  • 1篇驱动器设计
  • 1篇集成电路

机构

  • 1篇西安理工大学
  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇刘智
  • 1篇袁雅玲
  • 1篇刘存生
  • 1篇宁红英

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
专用高速高压驱动器设计
2008年
以标准3-μm双阱CMOS工艺为基础,开发了高低压体硅CMOS工艺,解决了低压CMOS和高压LDMOS工艺兼容性问题。基于RESURF原理,设计了八边形结构的高压LDMOS;完成了低压控制电路与高压LDMOS集成专用高速高压驱动器的设计。测试结果表明,高压LDMOS的开通电阻约为22Ω,击穿电压不高于130V;专用高速高压驱动器功能指标达到设计要求。
刘智袁雅玲刘存生宁红英
关键词：集成电路
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