吴世龙
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：安徽建筑大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家级大学生创新创业训练计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学环境科学与工程更多>>
- 恒电位法制备氧化亚铜薄膜工艺的研究
- 2013年
- 本文探索了以CuSO4·5H2O为铜源,乳酸为络合剂,应用恒电位法在导电玻璃（ITO）上沉积Cu2O薄膜的工艺条件.主要研究了Cu2＋与络合剂乳酸的摩尔比、络合时间、溶液的pH及电镀面积对薄膜结构的影响规律.通过X-射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对其结构和形貌进行了表征.结果表明：在Cu2＋与乳酸的摩尔比为1∶4～1∶7,pH=9～11的特定参数范围内的Cu2O膜为砖红色,膜面均匀致密,属于立方晶系结构,晶体择优（200）面生长.
- 刘昌龄吴世彪徐海燕陶方涛吴世龙周醒
- 关键词：电沉积氧化亚铜
- 恒电位法制备不同织构氧化亚铜薄膜工艺的研究被引量：1
- 2014年
- 本文采用恒电位法探索了CuSO4和乳酸溶液在摩尔比为1:3的条件下络合,以三电极体系在导电玻璃上沉积Cu2O薄膜的最佳工艺条件。通过分析Cu2+与络合剂乳酸在不同的溶液温度,沉积电位、以及溶液pH的条件下络合,来确定其对Cu2O薄膜的影响。采用X-射线衍射分析和扫描电子显微镜对薄膜样品结构和形貌进行表征。结果表明,在Cu2+与乳酸的摩尔比为1:3,溶液温度为65℃~75℃,沉积电位为-1.2V^-2.8V,溶液的pH=10~12的条件下,得到(111)择优取向生长的Cu2O薄膜,呈砖红色,致密均匀。Cu2O膜(200)择优取向生长的参数范围是:溶液温度65℃,沉积电位-1.2V,pH=7~9。
- 陶方涛吴世龙
- 关键词：电沉积摩尔比CU2
