吴成泽
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：长春理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”吉林省教育厅科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 温度对n-ZnO/p-diamond薄膜异质结器件制备和电学性质的影响
- 2017年
- 采用反应磁控溅射法在p型硼掺杂金刚石(BDD)薄膜衬底上制备了非有意掺杂n型氧化锌(ZnO)薄膜。利用XRD、SEM、I-V特性曲线对n-ZnO/p-BDD薄膜复合结构进行表征分析。n-ZnO多晶膜沉积在p-BDD膜上形成了具有良好整流特性的异质结。在空气中对异质结进行退火处理,研究了退火(400℃,700℃)对异质结性质的影响。实验表明,较高退火温度处理,可获得多取向的ZnO膜,晶粒尺寸增大,n-ZnO/p-BDD异质结开启电压减小。不同温度下的电学性质测量结果证明该异质结适合在高温环境下工作。
- 吴成泽王丽莹王启亮成绍恒汪剑波李红东
- 关键词：氧化锌薄膜异质结电学性质高温处理
- 射频磁控溅射AlN薄膜的场发射性能研究
- 2017年
- 氮化铝(Al N)是一种宽禁带深紫外半导体材料,其良好的性能可作为紫外固态光源。采用射频磁控溅射法,在p型Si(100)衬底上制备了Al N薄膜。通过X射线衍射分析(XRD)、紫外-可见光光谱(UV-Vis)、场发射测试对制备的Al N薄膜进行了测试分析,针对薄膜生长特性对光吸收的影响及其场发射性能进行了研究。结果显示:在Si衬底上成功的制备了高度(002)取向的Al N薄膜,薄膜在230~250nm间有强紫外吸收,阈值电场为6.39V/μm。场发射测试结果表明,磁控溅射法制备的Al N薄膜具备良好的场发射性。
- 吴成泽汪剑波龚楠冯禹连宇翔孙贯成于淼
- 关键词：磁控溅射AL禁带宽度
