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吴海峰

作品数:3 被引量:2H指数:1
供职机构:南通大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电池
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇叠层
  • 1篇读出电路
  • 1篇读出电路设计
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩二极管
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇准饱和效应
  • 1篇紫外探测
  • 1篇硒化镉
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇工作区
  • 1篇光学
  • 1篇光学特性
  • 1篇二极管

机构

  • 3篇南通大学

作者

  • 3篇罗向东
  • 3篇吴海峰
  • 2篇翟宪振
  • 1篇刘培生
  • 1篇张小龙

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高压LDMOS准饱和效应研究
2013年
借助于SILVACO TCAD仿真工具,研究了高压LDMOS电流准饱和效应(Quasi-saturation effect)的形成原因。通过分析不同栅极电压下漂移区的耗尽情况以及沟道与漂移区电势、电场和载流子漂移速度的分布变化,认为当栅压较低时,LDMOS的本征MOSFET工作在饱和区,栅压对源漏电流的钳制明显,此时沟道载流子速度饱和;而在大栅压下,随着沟道导电能力的增加以及漂移区两端承载的电压的增大,本征MOSFET两端压降迅速降低,器件不能稳定地工作在饱和区而进入线性工作区,此时沟道中的载流子速度不饱和。LDMOS器件的源漏电流的增大主要受漂移区影响,栅压逐渐失去对器件电流的控制,此时增大栅压LDMOS器件的源漏电流变化很少,形成源漏电流的准饱和效应。最后,从器件工作过程对电流与栅压的关系进行了理论分析,并从理论结果对电流准饱和效应进行了深入分析。
翟宪振吴海峰罗向东
关键词:准饱和效应
CdSe纳米材料在太阳能电池中的应用研究进展被引量:1
2014年
CdSe量子点由于具有光谱覆盖范围广、发光效率高等优点,被研究人员广泛应用于硅基太阳能电池和叠层太阳能电池中。介绍了CdSe纳米结构生长技术的发展、生长技术对其光学性质的影响以及CdSe纳米结构在太阳能电池中的应用状况,讨论了CdSe应用于太阳能电池的优缺点,并指出了这一领域目前存在的主要问题与未来的发展方向。
张小龙吴海峰罗向东刘培生
关键词:硒化镉光学特性太阳能电池叠层纳米材料
GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计被引量:1
2013年
基于GaN基APD(雪崩二极管)日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC)。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80V,当积分电容为4 pF,积分时间为25μs,时钟频率为100 kHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6×107个,输出电压摆幅在0~2.25 V,读出电路的输出电压线性度不低于99%。
吴海峰翟宪振罗向东
关键词:紫外探测读出电路雪崩二极管
共1页<1>
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