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张志鹏
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
辽宁大学物理系
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发文基金:
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相关领域:
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唐宁
辽宁大学物理系
石广源
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1篇
2007
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低压UDMOSFET结构设计
被引量:1
2007年
对低压UDMOSFET的结构设计提出了要以提高品质因数为指向的思想,分析了对其产生影响的一些相关因素,如特征电阻和击穿电压之间的平衡,寄生电容的设计考虑,以及在满足上述条件下的面积优化.最后对20V/10A条件下UDMOSFET的结构设计给出了详细的推导和计算.
石广源
唐宁
张志鹏
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品质因数
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