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张航

作品数：19 被引量：40H指数：3
供职机构：伊犁师范学院物理科学与技术学院更多>>
发文基金：新疆维吾尔自治区自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学化学工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文期刊文章

领域

  • 14篇理学
  • 4篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 19篇第一性原理
  • 11篇第一性原理研...
  • 10篇态密度
  • 10篇光学
  • 10篇光学性
  • 10篇光学性质
  • 8篇第一性原理计...
  • 7篇电子结构
  • 7篇子结构
  • 6篇BATIO3
  • 6篇掺杂
  • 4篇电子能
  • 4篇电子能带
  • 4篇电子能带结构
  • 3篇能态
  • 3篇能态密度
  • 3篇介电函数
  • 3篇晶格
  • 3篇共掺
  • 3篇BATIO

机构

  • 19篇伊犁师范学院
  • 18篇南京大学
  • 2篇新疆教育学院

作者

  • 19篇张丽丽
  • 19篇张航
  • 17篇彭彩云
  • 16篇马梅
  • 16篇张文蕾
  • 8篇马兰
  • 7篇张晓旭
  • 4篇曹庆琪
  • 2篇黄以能
  • 2篇张晋鲁
  • 2篇蒋小康
  • 1篇李红梅
  • 1篇雷博程
  • 1篇王艳辉
  • 1篇夏桐

传媒

  • 14篇伊犁师范学院...
  • 3篇原子与分子物...
  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 7篇2016
  • 6篇2015
  • 2篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铌掺杂钛酸钡的电子结构与光学特性的第一性原理计算被引量：3
2016年
基于第一性原理密度泛函理论框架下的平面波超软赝势计算方法,计算了铌(Nb)掺杂钛酸钡的电子结构和光学性质,并进行了分析.计算结果表明:与掺杂前的钛酸钡结构相比,电子结构方面,Nb掺杂后,费米能级穿过导带,使材料具有n型半导体的特性.从态密度图中可以得出,在费米能级附近的态密度主要由稀土元素贡献.光学性质方面,随着Nb的掺杂浓度的增加,静折射率增大,有效地增强了BTO对光的吸收,提高了其光电转换效率;从能量损失中看出掺杂后能量损失谱峰出现红移现象.
张航彭彩云马梅张文蕾张晓旭容婧婧张丽丽
关键词：第一性原理BATIO3电子结构光学性质
不同浓度Bi元素掺杂3C-SiC的电子结构的第一性原理研究
2015年
利用第一性原理赝势方法计算了不同浓度Bi元素掺杂SiC(掺杂浓度分别为1/8、1/16、1/32)的电子能带结构、态密度、布居分析和差分电荷密度.计算结果表明,随着Bi元素的掺杂,SiC的能带结构发生了变化,带隙宽度逐渐减小,费米能级越过导带,表现出N型半导体的特征;相应位置的Si原子和Bi原子的正电荷逐渐转移到了C原子上,说明Bi元素的掺杂破坏了Si、C之间的共价键.
马梅张文蕾张晓旭张航彭彩云曹庆琪张丽丽
关键词：3C-SIC第一性原理电子能带结构态密度布居分析
不同相BaTiO_3的电子结构的第一性原理计算
2015年
基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了不同相BaTiO3的能带结构、能态密度、键长和Mulliken电荷布居.计算结果表明,BaTiO3处于正交相时能隙消失,能带的弥散性最强,低能量处的电子最不稳定,pd轨道杂化的共价作用也是最强,且通过对键布居的分析可以预测正交相时的稳定性最弱,最易发生自发极化.
张文蕾马梅彭彩云张航曹庆琪张丽丽
关键词：第一性原理BATIO3能态密度
4H-SiC材料p型掺杂的电子结构第一性原理研究被引量：1
2017年
应用基于第一性原理平面波超软赝势方法,对六方相4H-SiC掺杂Ⅲ主族B、Al、Ga元素体系的晶格常数、能带结构、电子态密度、布居数进行了计算.计算结果表明:B、Al、Ga元素掺杂后,体系都发生了晶格畸变,能带都呈现出间接带隙特征,禁带宽度减小,费米能级穿越了价带,体现出p型半导体的特征;掺杂原子与C原子形成共价键的共价性减弱,离子性增强,掺杂体系的稳定性下降.
彭彩云王艳辉张航张晓旭张丽丽
关键词：4H-SIC第一性原理电子结构
Y掺杂BaTiO_3的电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：1
2016年
利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Y掺杂Ba Ti O3的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂Y元素后,体系的禁带宽度增大,能态密度向低能方向移动,费米能级进入导带,体现出n型半导体的特征,改善了Ba Ti O3的导电性.在光学性质上,无入射光情况下的纯Ba Ti O3静态介电常数值为4.69,掺杂后静态介电常数改变比较大,尤其是高浓度掺杂后远远大于纯Ba Ti O3,这意味着其可能是一种新的介电材料.掺杂后,体系的能量损失峰明显向低能区移动,随着掺杂浓度的增大,能量损失强度也有所增加.
彭彩云马梅马兰张航张文蕾容婧婧钱尉张丽丽
关键词：BATIO3第一性原理态密度介电函数
Co掺杂BaTiO_3的电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：1
2016年
基于第一性原理密度泛函理论和剪刀近似操作计算分析了CoxBa1-xTiO_3(x=0,0.125,0.25,0.5)的电子能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明:随着Co掺杂量的增加,Ba Ti O_3带隙发生变化,能带结构类型由间接跃迁变为直接跃迁,费米能级穿过价带,体现了p型半导体特征,静介电常数变大,反射率有了很大程度的变化,静折射率变化较大.
容婧婧张文蕾彭彩云马梅马兰张航钱尉张丽丽
关键词：第一性原理BATIO3能态密度光学性质
铁电体Ba_(1-x)Sn_xTiO_3的电子结构及光学性能的第一性原理研究被引量：1
2016年
利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Sn掺杂BaTiO_3的电子结构和光学性质.计算结果表明,掺杂Sn元素后,体系的禁带宽度减小,能态密度向低能方向移动,费米能级进入价带,体现出p型半导体的特征.在光学性质上,与未掺杂的BaTiO_3相比,掺杂后体系静折射率和静态介电常数减小;能量损失峰明显往低能区移动,且随着掺杂浓度的增大能量损失强度也有所增加.
马兰容婧婧彭彩云张航马梅张文蕾张丽丽
关键词：BATIO3第一性原理态密度介电函数
Hf、N以不同比例掺杂ZnO的第一性原理计算被引量：9
2017年
基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了Hf、N以不同掺杂比例掺杂ZnO(Zn_(16)O_(16))形成Zn_(15)O_(16-x_HfN_x(x=1,2,3,4)体系的结构参数、电子结构、Mulliken电荷布居和光学方面的性质.计算结果表明,掺杂体系晶胞体积不同程度增大;x=1时体系的费米能级上移进入导带使其呈现n型半导体特征,吸收峰和反射峰红移较小,尤其是反射峰,主要表现为强度的变化;但x=2,3,4体系的费米能级均在价带顶附近,且随掺杂比例的增大,掺杂体系的费米能级进入价带的深度逐渐增大,N 2p态的贡献作用也越来越显著,使掺杂体系呈现p型半导体特征,吸收峰和反射峰均有较大的红移,这将有利于ZnO体系在可见光领域的应用.
张文蕾张航彭彩云马兰容婧婧张丽丽
关键词：第一性原理HFN掺杂电子结构光学性质
N、Hf单掺和共掺ZnO电子结构的第一性原理计算被引量：1
2015年
基于第一性原理密度泛函理论,计算分析了纯ZnO,N、Hf单掺和共掺后ZnO体系的晶格常数、能带结构和态密度.计算结果表明:单掺时较纯ZnO体系的体积呈增大趋势,共掺时比N单掺略大;带隙宽度也呈现类似变化.此4种体系相比,N、Hf共掺的ZnO具有相对稳定的结构,相对较窄的带隙,与Hf单掺相比较弱的n型体系.
张文蕾马梅张航彭彩云容婧婧张晋鲁张丽丽
关键词：第一性原理晶格常数能态密度
Eu、N掺杂锐钛矿相TiO_2电子结构及光学性能的第一性原理研究被引量：2
2015年
利用第一性原理赝势方法计算了纯TiO_2及TiO_2掺杂N、Eu元素后的电子能带结构、态密度和光学性质.基于计算结果的分析发现：随着N、Eu元素的掺杂,TiO_2的能带结构发生了较大的变化,带隙宽度减小,产生杂质能级,费米能级越过价带,显现出明显的p型半导体特征;纯TiO_2在2.127 e V附近时,有吸收谱的出现,因此其对可见光吸收的能力很微弱;N元素掺杂后,体系在0.937e V附近有吸收谱的出现;Eu元素掺杂后,体系在1.64～3.19 e V（对应波长为390～770 nm）的可见光区域内,出现吸收峰,有效地改善了锐钛矿相TiO_2晶体对可见光的响应.
马梅张文蕾彭彩云张航张晓旭夏桐张晋鲁张丽丽
关键词：第一性原理电子能带结构态密度光学性质
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