弭伟
- 作品数：15 被引量：1H指数：1
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 一种GaO-InGaAs紫外-短波红外双波段光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种GaO‑InGaAs紫外‑短波红外双波段光电探测器及其制备方法。本发明的探测器的GaO薄膜对深紫外光十分敏感，且对280nm以上的波长具有良好的透射效果，不会影响探测器对于短波红外波段的响应，实现了紫外和...
- 王迪何林安弭伟朱岩
- 一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法，本发明在N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs背面空穴阻挡层、非故意掺杂GaAs吸收层、P型AlGaAs窗口层和P型GaAs接触层，并在...
- 朱岩何林安弭伟王迪
- PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究(特邀)
- 2024年
- 针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验使用磁控溅射镀膜工艺首先在PEN衬底上生长氧化镓薄膜,并在氧化镓薄膜上生长氧化铟锡电极,在室温下成功制备柔性氧化镓紫外光电探测器,器件响应波长处于小于280 nm的深紫外区。将器件弯折20000次后其暗电流无显著变化,光电流增大,保持了良好的紫外光探测性能,探测器上升时间和衰减时间分别为0.24 s/0.74 s和0.10 s/0.71 s,其电流-时间特性曲线呈现周期性稳定,表明即使经过多次弯折,柔性氧化镓紫外探测器仍然具有良好的光电探测性能。
- 丁悦皇甫倩倩左清源梁金龙弭伟王迪张兴成刘振何林安
- 关键词：半导体光电探测器射频磁控溅射氧化镓聚萘二甲酸乙二醇酯氧化铟锡
- 一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统
- 本发明公开一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，将压电传感器与忆阻器件相集成，使压力信号转变为电学信号，以此来驱动忆阻器件，完成数据的记录与存储。在压力发电片的输出端口设计保护电路，使外加的力学信号不至于将忆阻器...
- 杨正春李沛君弭伟吴健文朱博郭睿轩伏特朱云昊李珍赵金石张楷亮
- 文献传递
- 一种紫外-可见光-短波红外三波段光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种紫外‑可见光‑短波红外三波段光电探测器及其制备方法，本发明的探测器的非故意掺杂InGaAs吸收层中In组分为53％，其室温荧光(PL)波长大于1550nm，对于短波红外光十分敏感，可以有效探测到短波红外光...
- 何林安弭伟朱岩王迪
- 一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元及其制备方法
- 一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元，由双层铁电薄膜和铁磁薄膜依次沉积在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si复合衬底上构成层状结构组成，双层铁电薄膜自下而上分别为具有(111)取向的钙钛矿结构的0.3Ba(Zr...
- 韩叶梅王芳张楷亮弭伟曹荣荣张志超
- 文献传递
- 一种基于ZnO—MWCNT复合材料的电化学传感器及其制备方法
- 本发明公开一种基于ZnO—MWCNT复合材料的电化学传感器及其制备方法，采用沉淀法制备氧化锌纳米花，并将其与多璧碳纳米管进行复合，将制备好的复合材料用于修饰丝网印刷电极，实现了对对乙酰氨基酚的低浓度检测。
- 潘鹏张聪杨正春弭伟刘君魏军廖振宇张广亮曹宗升
- 文献传递
- 一种基于Si衬底的高质量大尺寸氧化镓薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种基于Si衬底的高质量大尺寸氧化镓薄膜及其制备方法，自下而上依次包括：Si衬底、籽晶层和外延层，所述籽晶层和所述外延层均为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>。制备方法包括清洗Si衬底、在...
- 弭伟李秉坤赵金石肖龙飞李信伟唐金泽陈新荣李萌周保增罗丽园
- 一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统
- 本发明公开一种基于压电传感器—忆阻器的智能数据存储系统，将压电传感器与忆阻器件相集成，使压力信号转变为电学信号，以此来驱动忆阻器件，完成数据的记录与存储。在压力发电片的输出端口设计保护电路，使外加的力学信号不至于将忆阻器...
- 杨正春李沛君弭伟吴健文朱博郭睿轩伏特朱云昊李珍赵金石张楷亮
- 基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法，由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜，本发明创新性地使用Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>...
- 弭伟杨正春吴健文陈煜婷李沛君赵金石张楷亮
- 文献传递
