彭震宇
- 作品数：18 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- 320×256 InAs/GaSb超晶格中/短波双色探测器组件研制被引量：2
- 2020年
- InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展。文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器组件,对探测器组件进行了测试分析。结果显示,在77 K下中波二极管RA值达到26.0 kΩ·cm^2,短波的RA值为562 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm,满足设计要求。双色峰值探测率达到中波3.12×10^11cm·Hz1/2W^-1,短波1.34×10^11cm·Hz1/2W^-1。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。
- 吕衍秋彭震宇彭震宇何英杰李墨何英杰朱旭波
- 关键词：INAS/GASB超晶格中短波焦平面阵列红外探测器
- 表面沟道漏电对长波光伏HgCdTe器件性能的影响被引量：2
- 2005年
- 研究了表面沟道漏电流对长波n-p HgCdTe光伏器件性能的影响。通过对栅控HgCdTe二极管I-V特性的研究,证实了表面势引入的表面漏电对长波HgCdTe光伏器件反向I-V特性具有较大的影响,提出了改进方向。
- 赵鸿燕彭震宇鲁正雄
- 关键词：伏安特性
- GaAs基短周期InAs／GaSb超晶格红外探测器研究被引量：6
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W.
- 郭杰彭震宇鲁正雄孙维国郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：超晶格分子束外延光谱响应
- 双色红外焦平面阵列读出电路设计被引量：2
- 2013年
- 根据P-N-N-P型叠层双色红外焦平面阵列探测器结构及其等效电路,提出了一种128×128同时积分、同时读出型双色红外焦平面读出电路原理及实现方式。单元电路采用直接注入结构作为输入级,在给定的单元面积内获得了较大的积分电容,满足了单元电路内中、短波两个独立的积分信号通道的需求。仿真结果表明该电路满足预定的设计要求,积分时间可调,读出速率大于等于5 MHz,中、短波输出电压的线性度均达到99%以上,功耗约68 mW。
- 王锦春关钰彭震宇吕衍秋马德军刘镇硕
- 关键词：读出电路线性度
- 一种改善阵列芯片串音的方法
- 本发明属于半导体光电器件技术，涉及一种改善红外焦平面阵列芯片串音的方法。本发明改善阵列芯片串音的方法是：在InSb晶体上掺杂结深为1.3um～1.5um的Cd材料；采用光刻胶进行光刻，化学腐蚀得到待注入的区域的晶体沟道表...
- 刘炜彭震宇张国栋沈祥伟
- InAs／GaSbⅡ型超晶格的拉曼和光致发光光谱被引量：4
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2nm)/GaSb(2.4nm)。拉曼光谱表明:随着温度从70K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5cm-1,频移温度系数约为0.023cm-1/K。光致发光(PL)峰在2.4～2.8μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55μmPL峰随温度变化(15～150K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小。PL发光强度在15～50K随温度升高而升高,在60～150K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系。
- 郭杰孙维国彭震宇周志强徐应强牛智川
- 关键词：超晶格INAS/GASB拉曼光谱光致发光
- 光照对阳极化InSb探测器性能影响的研究被引量：1
- 2008年
- 使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低。通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与p型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差。
- 刘炜彭震宇鲁正雄孙维国司俊杰
- 关键词：INSB探测器钝化阳极化
- 一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片
- 本发明涉及一种InAlSb芯片的制备方法及InAlSb芯片，属于半导体光电探测器制造技术领域。本发明的InAlSb芯片的制备方法包括以下步骤：1)在InAlSb基底上制备掩膜层，在掩膜层上光刻掩膜图形，得图形基底；2)采...
- 陶飞何英杰张向锋李墨彭震宇丁嘉欣姚官生张亮曹先存吕衍秋朱旭波张利学
- 文献传递
- 生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响被引量：1
- 2008年
- 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。
- 郭杰孙维国陈慧娟彭震宇鲁正雄郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：INAS/GASBXRD生长温度
- InAs/GaSb Ⅱ型超晶格中波红外光电二极管的硫化研究被引量：3
- 2011年
- 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构InAs(8 ML)/GaSb(8 ML)超晶格材料,响应光谱显示截止波长在5μm附近。通过腐蚀、光刻、溅射等工艺,制备了pin结构中波红外光电二极管。采用(NH4)2S+ZnS双层硫化对二极管表面进行钝化(,NH4)2S硫化后的二极管表面漏电流密度降低一个数量级,零偏阻抗R0增大几十倍,达到103欧姆。采用ZnS钝化后,漏电进一步减小,黑体探测率达到1×109 cmHz1/2W-1。在空气中放置一个月后再测试,信号和探测率几乎没有变化。
- 郭杰刘应开彭震宇孙维国
- 关键词：INAS/GASB超晶格红外探测器硫化
