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李子轩

作品数:1 被引量:1H指数:1
供职机构:天津大学化工学院杉山表面技术研究室更多>>
发文基金:天津市自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇多层纳米线
  • 1篇位移传感器
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇巨磁电阻
  • 1篇感器
  • 1篇CO/CU
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电阻
  • 1篇N

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇姚素薇
  • 1篇谢仁鑫
  • 1篇张卫国
  • 1篇王宏智
  • 1篇李子轩

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用被引量:1
2015年
采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻(Giant Magnetorsistance;GMR)材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系,在10-40℃环境温度内具有良好的稳定性.与[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层膜作传感器芯片相比,以[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高.
张卫国李子轩姜世圣谢仁鑫姚素薇王宏智
关键词:多层纳米线巨磁电阻位移传感器
共1页<1>
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