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李笑笑
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宁波工程学院
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相关领域:
一般工业技术
自动化与计算机技术
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合作作者
杨为佑
宁波工程学院
王霖
宁波工程学院
高凤梅
宁波工程学院
陈善亮
宁波工程学院
刘乔
宁波工程学院
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一种大宽厚比N掺杂SiC纳米带及其制备方法
本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带及其制备方法,属材料制备技术领域。该N掺杂SiC纳米带的宽度为100‑800nm,厚度为10‑80nm。其制备方法:将有机前驱体预处理后与双氰氨粉末混合并置于石墨坩埚,并将碳纤维布衬底放置...
高凤梅
李笑笑
陈善亮
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一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的制备方法
本发明纳米材料制备技术领域,涉及一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的制备方法。所述制备方法包括以下步骤:将氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸水溶液中浸泡10‑20min,然后分别以氮掺杂SiC纳米线、铂片电极、碳量子点水溶...
刘乔
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一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法
本发明涉及一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法,属于材料制备技术领域。本发明的B掺杂SiC纳米带的宽度为1~4μm,厚度为80~90nm,B的掺杂量为6.5~7.5at.%,为单晶结构,相成份为3C‑SiC。本发明...
高凤梅
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陈善亮
王霖
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一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器
本发明纳米材料技术领域,涉及一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器。所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液,将生长有高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述高度石墨化超薄碳膜包覆SiC...
刘乔
李笑笑
王霖
高凤梅
杨为佑
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一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器
本发明涉及一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器,包括原子力显微镜探针(含Pt/It镀层)、Si片和负载于Si片上的B掺杂SiC纳米线。其制备方法为:将有机前驱体进行预处理得到有机前躯体粉末,取有机前躯体粉末和...
高凤梅
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陈善亮
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尚明辉
杨为佑
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一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法
本发明涉及一种B掺杂SiC纳米带大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法,属于传感器技术领域。本发明的压力传感器包括原子力显微镜探针、石墨基底和负载于石墨基底上的B掺杂SiC纳米带,功能单元为B掺杂SiC纳米带。本发明的压...
高凤梅
李笑笑
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一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器及其制备方法
本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带高灵敏压力传感器及其制备方法,属纳米材料制备技术领域。该传感器包括石墨基底、原子力显微镜探针以及负载于石墨基底上的功能单元,功能单元为N掺杂SiC纳米带,其制备方法:有机前驱体与双氰氨粉末...
陈善亮
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杨为佑
一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法
本发明涉及一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法,属于材料制备技术领域。本发明的B掺杂SiC纳米带的宽度为1~4μm,厚度为80~90nm,B的掺杂量为6.5~7.5at.%,为单晶结构,相成份为3C‑SiC。本发明...
高凤梅
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陈善亮
王霖
杨为佑
一种大宽厚比N掺杂SiC纳米带及其制备方法
本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带及其制备方法,属材料制备技术领域。该N掺杂SiC纳米带的宽度为100‑800nm,厚度为10‑80nm。其制备方法:将有机前驱体预处理后与双氰氨粉末混合并置于石墨坩埚,并将碳纤维布衬底放置...
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一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器
本发明纳米材料技术领域,涉及一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器。所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液,将生长有高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述高度石墨化超薄碳膜包覆SiC...
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