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李龙

作品数:2 被引量:3H指数:2
供职机构:华北光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇碲镉汞
  • 2篇暗电流
  • 1篇品质因子
  • 1篇仿真
  • 1篇仿真模拟
  • 1篇长波

机构

  • 2篇华北光电技术...

作者

  • 2篇孙浩
  • 2篇朱西安
  • 2篇李龙

传媒

  • 1篇红外技术
  • 1篇激光与红外

年份

  • 2篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟被引量:2
2014年
报道了利用Silvaco软件对Hg1-x Cd x Te(x=0.22)n-on-p型长波探测器的模拟仿真结果。采用二维简化pn结模型,以品质因子R0A为标准,模拟计算了载流子寿命、缺陷密度、表面态、p区受主浓度、p区厚度、n区厚度宽度对暗电流的影响,得出在良好的品质因子范围内各个参量可以接受的范围。并针对重要参量利用软件对其复合速率,电流分布,载流子浓度等进行了详细模拟分析,为探测器设计制备提供了参考。
李龙孙浩朱西安
关键词:长波碲镉汞暗电流品质因子
碲镉汞长波探测器暗电流仿真分析被引量:2
2014年
针对n-on-p型长波Hg1-x Cdx Te红外探测器的暗电流进行建模分析,分析了不同机制对暗电流的影响,仿真分析结果和实际结果能够较好地匹配。得出探测器的工作状态暗电流Idark=9×10-10 A,工作电阻Rr=109Ω,品质因子R0A=20Ωcm2。从仿真分析结果得出,在现有工艺下,Shockley-Read-Hall(SRH)复合和表面漏电是影响暗电流的最主要的非本征因素,其中SRH复合速率为2×1016/s·cm3,当表面态到达1×1012 cm-2,器件会出现严重的表面沟道。
李龙孙浩朱西安
关键词:碲镉汞仿真模拟暗电流
共1页<1>
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