- CdTe量子点的制备及其与Au(Ⅲ)的作用被引量：8
- 2009年
- 以金属铝作为还原剂，制备（NH4）2Te前体，合成了水溶性荧光CdTe量子点（QDs），该QDs在紫外光照射下有较强的荧光且发射波长可调谐，并可稳定放置。计算了发射峰位置在575nmCdTeQDs的粒径为2．82nm，与TEM图像进行对比，计算了量子产率为28％；讨论了在不同的实验条件下，Au（Ⅲ）对CdTeQDs的荧光猝灭，Au（Ⅲ）的浓度在2．1×10^-8～6．0×10^-7mol·L^-1与荧光猝灭值呈线性关系，线性方程为△F=0．0903＋1．713c，r=0．9984，检出限为9．4×10^-9mol·L^-1。
- 张渝阳董娇王娜高鹏臧树良
- 关键词：CDTE量子点荧光猝灭
- CdTe量子点标记的DNA电化学传感器的研究被引量：10
- 2009年
- 利用碳纳米管和CdTe量子点(QDs)组装的电化学传感器,建立了一种识别DNA的新方法。将氨基修饰的单链DNA探针共价键合固定在带有羧基的碳纳米管修饰的金电极上,然后与CdTeQDs标记的目标DNA进行杂交。利用差分脉冲法(DPV)和循环伏安法对目标DNA的固定和杂交进行表征,通过电活性指示剂柔红霉素(DNR)的DPV峰电流变化,对互补DNA、非互补DNA和单碱基错配DNA序列进行识别。与未标记CdTeQDs的目标DNA相比,标记CdTeQDs的目标DNA序列的电流响应灵敏度明显提高。DNA电化学传感器检测的优化条件:DNR的浓度为1.67×10-5mol/L,DNA杂交时间为80min,杂交温度为55℃。在1.0×10-13～1.0×10-8mol/L范围,目标DNA浓度的对数值与其响应的DPV信号(还原峰电流)呈线性关系,检出限为3.52×10-14mol/L(S/N=3,n=9),线性方程为ΔI=50.22+3.567lgcDNA,相关系数为0.9966。对1.0×10-10mol/L的目标DNA样品进行重复测定,相对标准偏差为4.8%(n=5),重复性良好。
- 张渝阳高鹏赵坤王娜刘娜臧树良
- 关键词：CDTE量子点碳纳米管DNA传感器循环伏安法
